杨卫鹏
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：苏州大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 线性啁啾相位掩模的研制被引量：5
- 2009年
- 利用严格耦合波理论分析了线性啁啾相位掩模的衍射特性,得到只有当相位掩模的占宽比在0.37～0.50之间,槽形深度在242～270 nm之间时,才能保证零级衍射效率小于2%,同时正负一级的衍射效率大于35%。在此基础上,利用全息-离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的新方法,制作了中心周期为1000 m,啁啾率1 nm/mm,有效面积为100mm×10 mm的线性啁啾相位掩模。发现先用短时间Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩模槽形进行修正,然后采用CHF_3反应离子束刻蚀,能得到更合适的占宽比,从而确定了刻蚀新工艺。实验测量表明其零级衍射效率小于2%,正负一级衍射效率大于35%,最大非线性系数为1.6%。理论分析表明该相位掩模能够满足制作线性啁啾光纤光栅的需要。
- 刘全吴建宏杨卫鹏方玲玲
- 关键词：严格耦合波理论离子束刻蚀衍射效率
- 一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
- 本发明公开了一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟，再用三氟甲烷反...
- 刘全吴建宏杨卫鹏
- 文献传递
- 啁啾光纤光栅相位掩模槽形控制新方法研究
- 2009年
- 在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中,针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题,提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,来实现对相位掩模槽形占宽比的控制。运用高级线段运动算法模拟分析刻蚀中的图形演化,用Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩模形貌进行修正,然后采用CHF3反应离子束刻蚀,实验和模拟均表明,Ar离子束刻蚀能很好的改善掩模与基片交界处的基片侧壁形貌,使得在CHF3反应离子束刻蚀下能得到较小的占宽比。对槽形控制提供了有意义的实验手段。
- 杨卫鹏刘全吴建宏
- 关键词：离子束刻蚀反应离子束刻蚀
- 光纤光栅相位掩模的研制
- 利用全息-离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的新方法，制作了周期为1069nm、占宽比为0.41、槽深为268nm的光纤光栅相位掩模和中心周期为1000nm、啁啾率1nm／mm、有效面积为100mm×10mm的线性啁啾相位...
- 刘全吴建宏汪海宾方玲玲杨卫鹏李朝明陈新荣
- 关键词：光纤光栅相位掩模离子束刻蚀衍射效率刻蚀工艺
- 文献传递
- 全息光栅反应离子束刻蚀特性研究
- 本文围绕离子束刻蚀衍射光栅的方法，对刻蚀过程中的图形演化展开了理论和实验的研究。主要包括以下几个方面的内容。
首先，介绍了离子束刻蚀技术和常见的Kaufman离子源系统，讨论了离子束刻蚀中主要工艺参数，阐述了刻...
- 杨卫鹏
- 关键词：刻蚀离子束刻蚀光刻胶石英铬
- 文献传递
- 一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法
- 本发明公开了一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟，再用三氟甲烷反...
- 刘全吴建宏杨卫鹏
- 文献传递
