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李金华
作品数:
12
被引量:3
H指数:1
供职机构:
常州大学
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相关领域:
电子电信
化学工程
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合作作者
袁宁一
常州大学
李坤
常州大学
蒋美萍
常州大学
施东良
常州大学
严玲
常州大学
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作者
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李金华
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李坤
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袁宁一
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周金龙
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李政
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王雨
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蒋美萍
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陈王丽华
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1998
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一种高过载、可恢复压力传感器及制造方法
本发明涉及硅基压力传感器,特指一种高过载、高线性度、绝压式、可恢复硅基压力传感器及制造方法。本发明通过压敏电阻排列和凸型梁的放大作用,使本发明制备的硅基压力传感器不经放大的信号输出灵敏度是常规硅基压力传感器的两倍以上,而...
李金华
文献传递
采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究
被引量:3
1998年
本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于100nm、硅岛宽度大于100μm的超薄SOI(TFSOI)结构.用透视电子显微镜剖面分析技术(XTEM)、扩展电阻分析(SRP)、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技术对多孔氧化硅超薄SOI结构进行了分析,结果表明其顶层硅膜单晶性好,硅膜和埋层氧化层界面平整.实验表明硅岛的台阶形貌及应力状况取决于阳极化反应条件.在硅膜厚约为80nm的TFSOI材料上制备了p沟MOSFET,输出特性良好.
黄宜平
李爱珍
蒋美萍
蒋美萍
李金华
竺士炀
关键词:
氧化硅
SOI
CMOS
硅膜
一种低成本制备无弯曲压电陶瓷纤维的方法
一种低成本制备无弯曲压电陶瓷纤维的方法,用聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和醋酸纤维素中的一种或两种为粘结剂,水为溶剂,粒径小于1微米的锆钛酸铅系列粉体为原料,充分搅拌均匀后在10<Sup>-2</Sup>-10<Sup>-3<...
李坤
严玲
韩权威
周金龙
李金华
文献传递
一种铁酸钴与锆钛酸铅镧0-3复合多铁陶瓷的制备方法
本发明涉及铁电/铁磁复合材料,具体涉及一种铁酸钴与锆钛酸铅镧0-3复合多铁陶瓷的制备方法。其特征在于:用锆钛酸铅镧作为多铁陶瓷中的铁电相,用铁酸钴作为多铁陶瓷中的铁磁相,通过溶胶-凝胶工艺将氧化锆溶胶包覆于铁磁相铁酸钴表...
李坤
施东良
李政
朱尹
李金华
王雨
陈王丽华
离子束增强沉积制备P-型氧化锌薄膜的方法
本发明涉及一种新的ZnO薄膜实用制备技术,其将高纯度ZnO粉体,或原子比为1-5%的Al、In等氧化物均匀掺入ZnO粉体,用等静压压制成型,再烧结成溅射靶,并用纯N<Sub>2</Sub>或Ar∶N<Sub>2</Sub...
袁宁一
李金华
文献传递
室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶V...
李金华
袁宁一
文献传递
室温电阻温度系数高于10%/K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶V...
李金华
袁宁一
文献传递
一种铁酸钴与锆钛酸铅镧0-3复合多铁陶瓷的制备方法
本发明涉及铁电/铁磁复合材料,具体涉及一种铁酸钴与锆钛酸铅镧0-3复合多铁陶瓷的制备方法。其特征在于:用锆钛酸铅镧作为多铁陶瓷中的铁电相,用铁酸钴作为多铁陶瓷中的铁磁相,通过溶胶-凝胶工艺将氧化锆溶胶包覆于铁磁相铁酸钴表...
李坤
施东良
李政
朱尹
李金华
王雨
陈王丽华
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一种高过载、可恢复压力传感器及制造方法
本发明涉及硅基压力传感器,特指一种高过载、高线性度、绝压式、可恢复硅基压力传感器及制造方法。本发明通过压敏电阻排列和凸型梁的放大作用,使本发明制备的硅基压力传感器不经放大的信号输出灵敏度是常规硅基压力传感器的两倍以上,而...
李金华
文献传递
一种低成本制备无弯曲压电陶瓷纤维的方法
一种低成本制备无弯曲压电陶瓷纤维的方法,用聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和醋酸纤维素中的一种或两种为粘结剂,水为溶剂,粒径小于1微米的锆钛酸铅系列粉体为原料,充分搅拌均匀后在10<Sup>-2</Sup>-10<Sup>-3<...
李坤
严玲
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