徐刚毅
- 作品数：4 被引量：21H指数：2
- 供职机构：北京航空航天大学数学与系统科学学院更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 掺杂纳米硅薄膜微结构的研究被引量：14
- 2001年
- 采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地沉积出掺杂(主要是磷、硼)纳米硅(nc-Si:H)薄膜。利用高分辨电子显微镜(HREM)、Raman散射、X射线衍射(XRD)、Auger电子谱(AES)和共振核反应(RNR)等手段对掺入不同杂质后的纳米硅薄膜的微结构进行了系统的研究,实验结果表明,随着掺磷浓度的增加,掺杂纳米硅薄膜的晶粒尺寸减小,晶态比和晶粒密度增加。而随着掺硼浓度的增加,掺杂纳米硅薄膜的晶粒尺寸没有变化,晶态比减小,掺硼浓度达到一定程度时,则变成了非晶硅薄膜。
- 王金良徐刚毅王天民
- 关键词：等离子增强化学气相沉积微结构晶粒尺寸半导体纳米材料
- 掺杂纳米硅薄膜的生长特性被引量：7
- 2002年
- 采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功的沉积出掺杂(主要是磷、硼 )纳米硅薄膜 .探讨了各种生长工艺条件对掺杂纳米硅薄膜的结构与性能的影响及其规律 .利用高分辨电镜 (HREM)、Raman散射等手段对掺入不同杂质后的纳米硅薄膜的微结构进行初步研究 ,并从实验和理论上对掺杂纳米硅薄膜的生长特性进行了探讨 .得出掺杂纳米硅薄膜具有与掺杂非晶硅薄膜和掺杂微晶硅薄膜不同的生长特性 ,即杂质原子绝大部分是非活性的 ,只有很少一部分在薄膜中起施主作用 .
- 王金良徐刚毅王天民
- 关键词：纳米硅薄膜工艺参数
- 掺杂纳米硅薄膜的微结构与电性研究
- 徐刚毅王金良何宇亮王天民
- 关键词：微结构
- 掺杂纳米硅薄膜微结构的研究
- 王金良徐刚毅王天民
- 关键词：薄膜微结构
