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孙林林

作品数：7 被引量：6H指数：1
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇发光
  • 2篇电压
  • 2篇真空
  • 2篇真空热处理
  • 2篇石英玻璃
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇铁电材料
  • 2篇抛光
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇局域
  • 2篇局域场
  • 2篇工业化
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇硅酸

机构

  • 7篇华东师范大学

作者

  • 7篇孙林林
  • 6篇石旺舟
  • 6篇马学鸣
  • 1篇刘宏玉
  • 1篇程文娟

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第三届上海纳...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
纳米MgzZn1-zO薄膜的制备及其光学性质
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在400℃下10PaO2气氛中制备MgxZn1-xO薄膜,研究了Mg含量对MgxZn1-xO薄膜能带宽度的影响。通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见光度计表征ZnO薄膜的结构和光学性能。结果...
孙林林马学鸣石旺舟
关键词：脉冲激光沉积晶格常数光学性质
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在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜被引量：6
2005年
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在S i(100)上成功生长了高度c轴取向的A lN薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及荧光分光光度计表征ZnO薄膜的结构、表面形貌和发光性能。结果表明,ZnO薄膜能在A lN过渡层上沿c轴准外延生长,采用A lN过渡层后,其荧光强度也有大幅提高。
孙林林刘宏玉程文娟马学鸣石旺舟
关键词：氧化锌薄膜过渡层光致发光
一种表面发强蓝色荧光玻璃的制备方法
本发明涉及一种表面发强蓝色荧光玻璃的热处理制备方法，属于表面纳米科学技术及光电新材料领域。将石英玻璃双面抛光；将Mn的原子比范围为3%-7%的ZnO和MnO的混合粉体同抛光后石英玻璃表面充分接触；然后将表面附有ZnO和M...
石旺舟孙林林马学鸣
文献传递
一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法
本发明涉及一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法，属于先进光电材料技术领域。本发明通过引入高介电常数的铁电材料与发光量子点交替共沉积，获得量子点镶嵌于铁电薄膜中的复合结构，利用其局域场效应，大幅提高了量子点内的电场强...
孙林林石旺舟马学鸣
文献传递
一种表面发强蓝色荧光玻璃的制备方法
本发明涉及一种表面发强蓝色荧光玻璃的热处理制备方法，属于表面纳米科学技术及光电新材料领域。将石英玻璃双面抛光；将Mn的原子比范围为3％－7％的ZnO和MnO的混合粉体同抛光后石英玻璃表面充分接触；然后将表面附有ZnO和M...
石旺舟孙林林马学鸣
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一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法
本发明涉及一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法，属于先进光电材料技术领域。本发明通过引入高介电常数的铁电材料与发光量子点交替共沉积，获得量子点镶嵌于铁电薄膜中的复合结构，利用其局域场效应，大幅提高了量子点内的电场强...
孙林林石旺舟马学鸣
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ZnO薄膜的结构和光学性质研究
ZnO是一种具有纤锌矿结构的宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3.3eV，激子束缚能为60meV，这比同是宽禁带材料的ZnSe/(20mev/)和GaN/(21meV/)都高出许多，而且比GaN，SiC和其它Ⅱ-...
孙林林
关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积氧缺陷过渡层发光性能
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