夏庚培
- 作品数：33 被引量：56H指数：5
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- CdTe太阳能电池的制备及电子辐照对电池影响的研究被引量：5
- 2004年
- 作者将用共蒸发法制备的ZnTe/ZnTe∶Cu复合多晶薄膜作为背接触层,获得了转换效率为13.38%的CdTe多晶太阳能电池.用光强为100mW/cm2的卤钨灯对电池光照7d后,发现性能无明显变化.该电池经能量为1.6MeV,辐照注量为1013～1015电子/cm2的电子束辐照后,其性能有不同程度的下降,但经真空下150℃退火后,又恢复到接近辐照前的值.
- 夏庚培郑家贵冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵李卫武莉莉
- 关键词：光照辐照
- Cu_xTe薄膜的结构及其对CdTe太阳电池性能的影响
- 2008年
- 用真空共蒸发法制备了 Cu_xTe 薄膜并将其运用于 CdTe 太阳电池中。对薄膜进行了 X 射线衍射(XRD)分析,比较了有、无 Cu_xTe 插层的 CdTe 太阳电池的暗态 I-V 特性和 C-V 特性。结果表明,刚沉积的薄膜非晶结构占主导地位,只有部分 Cu/Te 配比较低的薄膜出现多晶结构。Cu_xTe 插层的引入有利于消除 roll over (暗态 I-V 曲线饱和)现象,使电池的二极管理想因子和暗饱和电流密度降低,CdTe 掺杂浓度增加,有效地改善了CdTe 太阳电池的性能。用 Cu_xTe 薄膜作为背接触层,获得了效率为12.5%的 CdS/CdTe小面积(0.0707cm^2)太阳电池。
- 吴晓丽夏庚培郑家贵李卫冯良桓武莉莉黎兵张静全雷智宋慧瑾
- 关键词：背接触CDTE太阳电池
- CdTe多晶薄膜的制备及后处理研究
- CdTe具有良好的光电学性质和化学性质，因此成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。然而，制备高效CdTe／CdS多晶薄膜太阳电池的关键之一是要获得高质量的CdTe多晶薄膜。于是，本文针对CdTe薄膜，...
- 夏庚培
- 关键词：CDTE薄膜太阳能电池
- 文献传递
- 具有复合背接触层的CdTe多晶薄膜太阳电池(英文)
- 2005年
- 为了提高CdTe太阳电池的背接触性能,用共蒸发法制备了ZnTe:Cu和Cd1-xZnxTe多晶薄膜。研究结果表明:Cd1-xZnxTe多晶薄膜的能隙与锌含量呈二次方关系,ZnTe:Cu多晶薄膜能隙随着掺Cu浓度的增加而减小。分别用ZnTe/ZnTe:Cu和Cd1-xZnxTe/ZnTe:Cu复合膜作为背接触层,既能修饰异质结界面,改善电池的能带结构,又能防止Cu原子向电池内部扩散。因此获得了面积0.502cm2,转换效率为13.38%的CdTe多晶薄膜太阳电池。
- 覃文治郑家贵李卫蔡伟冯良桓蔡亚平黎兵张静全武莉莉夏庚培
- 关键词：复合背接触层能隙
- AlSb多晶薄膜的结构和电学性能研究
- 本文采用共蒸法制备出了新型薄膜太阳电池材料——AlSb多晶薄膜。通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构、掺杂类型等。分析表明,刚沉积的AlSb薄膜为非晶相,退火后,随着退火温...
- 宋慧瑾武莉莉郑家贵冯良桓雷智张静全贺剑雄夏庚培
- 文献传递
- 大面积CdTe多晶薄膜的制备及其性能被引量：2
- 2007年
- 通过研究大面积CdTe多晶薄膜沉积的升温过程,并调节石墨群边改进加热灯管的分布获得了较均匀的温场,在混合氩氧气氛下,用自行设计制造的近空间升华系统制备出了面积为300mm×400mm的大面积CdTe多晶薄膜,利用XRD、SEM研究其结构、成分和形貌,结果表明:CdTe薄膜呈(111)择优取向,且薄膜总体致密均匀,晶粒大小约为1μm左右。用此大面积CdTe薄膜的不同部分制备的CdS/CdTe/ZnTe:Cu小面积太阳电池效率相差不大,说明薄膜的均匀性较好。
- 蒋显辉郑家贵黎兵夏庚培武莉莉冯良桓蔡伟张静全李卫雷智
- 关键词：CDTE薄膜
- CuxTe背接触层对CdTe光伏器件性能的影响
- 2009年
- 研究了由共蒸发制备出的CuTe多晶薄膜的性能及其对CdTe光伏器件性能的影响。研究表明,刚沉积的CuTe薄膜为非晶相,退火后,随着退火温度的升高,不同配比的样品有着不同程度的物相转变,其中Cu/Te为1:1.44的薄膜多晶转变最为明显,结晶度较高。以CuTe结构为主相的CuxTe薄膜作为背接触层电池,性能改善不显著,转换效率随膜厚的增加呈递减趋势;以Cu1.44Te结构为主相的CuxTe薄膜作为背接触电池,转换效率有极大提升,在膜厚40nm处电池呈现最高转换效率;Cu2Te为背接触主相的电池相对于Cu1.44Te为背接触主相的电池,器件性能略有下降,但优于CuTe为背接触主相的电池。
- 宋慧瑾郑家贵冯良桓夏庚培王文武贺剑雄李愿杰鄢强
- 关键词：太阳电池材料
- 真空共蒸发法制备Cu_xTe薄膜的结构特性分析
- 2008年
- 用真空共蒸发法制备了CuxTe(1≤x≤2)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)及原子力显微镜(AFM)等表征手段分析了薄膜的结构特性,研究了热处理对不同Cu/Te配比的样品物相转变的影响。结果发现:刚沉积的薄膜非晶结构占主导地位,只有部分低Cu/Te比的薄膜出现多晶结构;退火后,薄膜发生晶相转变,且随着退火温度的升高,不同配比的样品有着不同程度的物相转变。其中,较低配比(x=11、.44)的样品多晶转变较为明显,结晶度较高,说明较小x值的薄膜晶化温度较低,而高x值的薄膜晶化温度较高。用CuxTe薄膜作为背接触层,获得了效率为12.5%的CdS/CdTe小面积太阳电池。
- 吴晓丽夏庚培郑家贵李卫冯良桓武莉莉张静全黎兵雷智
- 关键词：退火
- 碲化镉薄膜太阳电池的制造技术
- 冯良桓蔡亚平张静全黎兵蔡伟武莉莉李卫郑家贵雷智曾广根夏庚培王文武贺剑雄宋慧瑾李愿杰
- ①课题来源与背景 主要来自国家“十五”863计划能源技术领域的两个重点课题，一是“碲化镉薄膜太阳电池的制造技术及中试生产线”(编号：2001AA513010)；二是“碲化镉薄膜太阳电池的制造技术及中试生产线”(编号：2...
- 关键词：
- 关键词：碲化镉太阳电池
- AlSb多晶薄膜的制备及性质被引量：1
- 2010年
- 用磁控溅射法制备了Al/Sb多层薄膜,通过X射线衍射(XRD)、X射线荧光(XRF)、Hall效应、暗电导率温度关系及透过谱的测试研究了退火前后薄膜的结构和性质。XRD测试结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,而Al则以非晶态形式存在,500℃退火后化合为AlSb多晶,且沿(111)择优取向。Hall效应测试、电导激活能及光能隙的计算结果表明,所制备的AlSb多晶薄膜为P型材料,且载流子浓度为1019cm-3,光能隙为1.64eV,电导率随温度的变化可分为两个过程,在30℃到110℃,薄膜的电导率随温度的增加而缓慢增加,而在110℃到260℃间增加明显,升温电导激活能为0.11eV和0.01eV,这与AlSb多晶薄膜在升温过程中的结构变化有关。将制备的AlSb多晶薄膜应用于TCO/CdS/AlSb/ZnTe:Cu/Au结构的太阳电池器件中,已观察到明显的光伏效应,说明用这种方法制备的AlSb多晶薄膜适于作太阳电池的吸收层。
- 贺剑雄武莉莉夏庚培郑家贵冯良桓雷智李卫张静全黎兵
- 关键词：ALSB磁控溅射法退火
