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  • 5篇2007
  • 8篇2006
  • 10篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2002
30 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
宽带低相位噪声锁相环型频率合成器的CMOS实现被引量:4
2006年
用0.25μm标准CMOS工艺实现了单次变频数字有线电视调谐器中的频率合成器.它集成了频率合成器中除LC调谐网络和有源滤波器外的其他模块.采用I^2C控制三个波段的VCO相互切换,片内自动幅度控制电路和用于提升调谐电压的片外三阶有源滤波器,实现VCO的宽范围稳定输出.改进逻辑结构的双模16/17预分频器提高了电路工作速度.基于环路的行为级模型,对环路参数设计及环路性能评估进行了深入的讨论.流片测试结果表明,该频率合成器的锁定范围为75~830MHz,全波段内在偏离中心频率10kHz处的相位噪声可以达到-90.46dBc/Hz,100kHz处的相位噪声为-115dBc/Hz,参考频率附近杂散小于-90dBc.
陈作添吴烜唐守龙吴建辉
关键词:频率合成器相位噪声压控振荡器预分频器
深亚微米工艺CMOS Gilbert混频器噪声分析被引量:1
2006年
深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5 dB,相对误差最大为12.5%.
唐守龙吴建辉罗岚
关键词:CMOS射频集成电路混频器深亚微米工艺噪声
金属氧化物半导体锁相环电路
一种COM锁相环电路。涉及三波段数字电视调谐电路,尤其涉及其内部的锁相环电路及其中的波段切换电路。用于消除波段切换时压控振荡器电路可能产生的畸形振荡频率,使锁相环电路正常锁定在指定频率。通过金属氧化物半导体锁相环电路中的...
唐守龙宋莹莹吴烜吴建辉陆生礼时龙兴
文献传递
一种基于新的偏置电路的低电压带隙基准电压源设计被引量:8
2006年
通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作。该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压。电路基于Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,Hspice仿真结果与分析计算结果相符。基于这种偏置电路所设计的带隙基准电压源最低工作电压仅为2V,温度系数为12×10-5/℃,电源抑制在频率为1~10kHz时为-98dB,1MHz~1GHz时为-40dB。
张朵云罗岚唐守龙吴建辉
关键词:带隙基准电压源共源共栅偏置电路低电源电压
一种高增益低噪声混频器的设计
2005年
本文设计了一种高增益低噪声混频器,提出了一种新的吉尔伯特混频器负载级电路。该混频器在3.3V工作电压下,基于Chartered0.25μm标准CMOS工艺设计模型进行仿真验证,优化结果表明,该混频器的增益达到9.02dB,噪声系数为8.88dB,谐波失真降低为-17.29dB。
薛海妹唐守龙陆生礼
关键词:CMOS工艺噪声系数
RC多相滤波器对镜像抑制性能影响分析被引量:4
2005年
本文介绍用RC多相滤波器实现镜像抑制的原理,推导出电阻电容误差对镜像抑制影响的数学表达式,通过仿真验证表明,计算值与仿真值较为接近,并应用RC多相滤波器来实现高镜像抑制的下变频混频器。本文设计的下变频混频器采用Chartered0.25μmCMOS工艺,输入RF信号1.22GHz,在输出中频(IF)信号36/44MHz的情况下,能获得49dB的镜像抑制。
强铨一唐守龙罗岚
关键词:镜像抑制下变频混频器
一种指数增益控制型高线性CMOS中频可变增益放大器被引量:7
2006年
采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,放大器实现了8~48dB的增益连续变化,差分输出1V峰峰值下的三阶互调失真小于-60dBc,最大增益处噪声系数为8.7dB,50Ω负载下三阶输出截点为14.2dBm.
恽廷华唐守龙时龙兴
关键词:可变增益放大器DB线性电流调节
金属氧化物半导体锁相环电路
一种COM锁相环电路。涉及三波段数字电视调谐电路,尤其涉及其内部的锁相环电路及其中的波段切换电路。用于消除波段切换时压控振荡器电路可能产生的畸形振荡频率,使锁相环电路正常锁定在指定频率。通过金属氧化物半导体锁相环电路中的...
唐守龙宋莹莹吴烜吴建辉陆生礼时龙兴
文献传递
压控振荡器
一种压控振荡器,主要涉及压控振荡器起振电路,尤其是涉及到多个压控振荡器切换时的起振电路。本发明提供了加速压控振荡器切换过程中的电路起振,缩短压控振荡器的起振时间。包括有振荡电路、快速起振电路、LC谐振回路。快速起振电路的...
唐守龙宋莹莹吴建辉陆生礼时龙兴
文献传递
四类LO信号对CMOS Gilbert混频器增益影响分析被引量:3
2005年
本文深入研究了CMOS Gilbert混频器在四类本振信号(Local Oscillator,LO)作用下的开关模型,提出了相应情况下的混频器电压转换增益修正公式。基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,本文预测的电压增益理论值与仿真结果相差最大为0.08dB,对CMOS混频器的优化设计具有指导意义。
唐守龙罗岚陆生礼时龙兴
关键词:CMOS射频集成电路混频器
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