- 通用二阶曲率补偿带隙基准电压源被引量：7
- 2010年
- 详细分析了基本低压带隙基准电压源电路实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在-50℃～+120℃温度范围内,通过选择合适的电阻比例及MOSFET的沟道调制效应系数λ,获得了任意输出电压值的二阶曲率补偿基准电压源,且具有较低的温度系数。
- 吴贵能周玮李儒章董少青
- 关键词：模拟集成电路带隙基准电压源曲率补偿CMOS
- 一种两级CMOS运算放大器电源抑制比提高技术(英文)被引量：7
- 2010年
- 在解释了传统基本两级CMOS运算放大器低电源抑制比(PSRR)原因的基础上,提出了一种简单电路技术来提高传统基本两级CMOS运算放大器中频PSRR。该方法原理是通过改变偏置结构产生一个额外的信号支路在输出端跟随电源增益,这样在输出端可以得到近似为零的电源纹波增益,从而能提高运放的PSRR。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下仿真结果显示,改进的运算放大器的PSRR在中频范围内比传统运算放大器可提高20dB以上。
- 吴贵能周玮
- 关键词：CMOS运算放大器电源抑制比
- 一种高精度的CMOS带隙电压基准被引量：3
- 2010年
- 介绍一种采用二阶补偿技术的带隙电压基准电路。基于一阶曲率补偿的带隙电压基准,利用晶体管基极-发射极电压Vbe与温度T的非线性关系,通过PTAT2电路补偿Vbe的二阶项,从而改善了基准电压的温度特性。Cadence软件仿真结果表明,工作电压为5 V,在-35^+110℃的温度范围内,其温度系数可达2.89 ppm/℃。
- 高菊周玮
- 关键词：带隙电压基准二阶曲率补偿温度系数CADENCE
- 一种高电源抑制比CMOS运算放大器被引量：4
- 2009年
- 解释了基本两级CMOS运算放大器电源抑制比(PSRR)低的原因;提出了只通过改变偏置结构来提高CMOS运算放大器PSRR的方法。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,结果显示:通过改变偏置结构,运算放大器的PSRR在一个很宽的频率范围内比传统运算放大器可提高20dB以上。
- 周玮吴贵能李儒章
- 关键词：CMOS运算放大器电源抑制比
- 一种二阶曲率补偿的带隙电压基准被引量：3
- 2009年
- 设计一种二阶曲率补偿的带隙电压基准。基于一阶曲率补偿的基准电路,利用二极管正向导通附近电流I与电压V的非线性关系,将补偿电流注入PTAT电流来补偿Vbe的二阶项。运用0.35μm工艺的器件模型Cadence工具下进行了仿真,在-50^+120℃温度范围内,一阶曲率补偿带隙电压基准的温度系数为16.6 ppm/℃,经过二阶曲率补偿的带隙电压基准的温度系数减小到约为3.07 ppm/℃,带隙电压基准的温度特性得到了很大改善。整个补偿电路使用器件少、占用面积小、实用性强。
- 廖敏周玮
- 关键词：带隙电压基准二阶曲率补偿温度系数温度特性
- IMS终端多媒体应用的研究与实现
- 随着通信技术的高速发展，越来越多的人开始认识IMS(IP MultimediaSubsystem)即IP多媒体子系统。IMS已经成为实现固网和移动网络融合的关键技术，因此IMs必将会成为下一代融合业务的首选框架。
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- 周玮
- 关键词：IP多媒体子系统会话初始协议视频通话功能模块
- 文献传递
- 单密勒电容补偿多级放大器的设计(英文)被引量：1
- 2009年
- 提出了一种结构简单的全新单密勒电容补偿技术。理论分析表明,该技术无需运放的跨导逐级增加就能获得良好的稳定特性,而且单位增益带宽大、补偿电容小。特别是每增加一级放大电路,就会增加一个左半平面零点,从而有效抵消新增加极点对运放稳定性的影响,因此该补偿技术很容易拓展到N(N>3)级联放大结构,这一特性有利于运放在实际中的运用。
- 周玮吴贵能李儒章
- 一种二阶补偿的CMOS带隙基准电压源(英文)被引量：4
- 2009年
- 提出了一种通过沟道长度调制效应进行二阶温度曲率补偿的CMOS带隙基准电压源,并分析了这种结构实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,在-50°～+120℃温度范围内,一阶曲率补偿的温度系数为9.5ppm/℃,而运用二阶曲率补偿后该基准电压源具有2.7ppm/℃的低温度系数。
- 周玮吴贵能李儒章
- 关键词：带隙基准电压源曲率补偿低温度系数
