周俊思
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：核科学技术理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 溅射负离子源靶的制作与使用
- 1993年
- 研究制作了多种溅射负离子源靶,在2×1.7MV串列加速器上采用Middleton-Ⅶ型溅射负离子源引出了流强大、稳定的30多种元素的负离子束。探讨了靶的材料、形状和尺寸等因素对束流质量的影响,以及如何通过控制铯蒸汽、电离器电流、靶压和靶位等来改善束流的质量,提高靶及电离器的寿命,降低源体的污染等。
- 徐天冰周俊思邱长青朱沛然
- 关键词：溅射束流电离器负离子源
- 单片机定角器自动控制
- 定角器是卢瑟福背散射系统的主要部件。本文就硬件和软件两方面讲诉了单片机在定角器控制系统中的应用。对这个系统的几个主要部分,即单片机、扩展的存储器、键盘、数码显示、简易RS232串行接口的结构、原理及控制程序的设计思想都做...
- 谢德民周俊思王龙郭行闯
- 关键词：单片机系统非编码键盘只读存储器步进电机
- 中国科学院物理研究所的离子束分析及离子注入改性研究
- 1993年
- 介绍了中国科学院物理研究所离子束研究室的主要设备、分析方法、离子注入材料改性研究以及近年来在半导体材料、高Tc超导材料、环保等领域中的研究工作。
- 朱沛然江伟林徐天冰周俊思任孟眉瞿永亮
- 关键词：离子注入
- 物理所2×1.7MV串列加速器的运行与使用被引量：1
- 1992年
- 物理所2×1.7MV串列加速器已正常运行8年。主机稳定、束流传输较好,将自制潘宁离子源与原机上的860型溅射负离子源配合,已引出并使用的有H、He、Li、O、F、Ti等30多种元素的各价态离子。在使用过程中发展了背散射、沟道技术、质子激发X射线分析、核反应分析、弹性反冲分析等多种分析手段和MeV级扫描离子注入系统:μm束探测系统以及相应的管道、靶室、数据采集和处理系统。该机已服务和支持了国内外26所大学和20多个研究所100多个课题的研究工作,提供16000多个有效机时。
- 周俊思徐天冰朱沛然邱长青郑宗爽江伟林任孟眉
- 关键词：串列加速器束流线离子源
- 卢瑟福背散射自动测量
- 卢瑟福背散射谱(RBS)已经被广泛用于不同种固体材料的近表面区域的分析工作。RBS的优点在于其测量的快速性、获得样品表面下的原子分布而不损伤样品和结论数字性。到目前为止,许多实验室已经通过简化散射过程和降低探测离子的进程...
- 谢德民周俊思王龙候广琦
- 关键词：卢瑟福背散射原子序数原子量函数功能
- 自制溅射负离子源电离器的材料、结构、制作及使用情况被引量：2
- 1992年
- 介绍自制溅射型负离子源及其关键部件——电离器的材料、结构、制作及使用情况。得到碳束C^-总流强>780μA,硅束Si-250μA.此电离器先后在2×1.7MV串列加速器的进口溅射源及200kV离子注入机自制溅射源上使用,寿命3000h。
- 周俊思邱长青徐天冰杨国梁
- 关键词：电离器离子源
- 直流磁控溅射YBCO非晶薄膜的卢瑟福背散射研究
- 1994年
- 利用直流磁控溅射(D.C.Magnetron Sputtering)法,选取总气压为80Pa,沉积时间为60min,溅射靶尺寸为φ80,在磁场强度、靶与基片之间的距离及Ar/O_2比等参数变化的情况下,制备了四组YBCO/Al_2O_3非晶薄膜样品。用MeV Li卢瑟福背散射(RBS)分析技术,测量了各块样品中Ba和Cu相对Y的含量和薄膜厚度随基片的横向分布。分析结果表明:在不同的沉积条件下,薄膜中各点的Ba和Cu相对浓度差别较大,薄膜厚度分布也不均匀。其中一组样品,在薄膜中心两侧约17mm的区间内,薄膜厚度近似相等(～0.13μm),而且Y,Ba,Cu比例接近1:2:3。
- 江伟林王瑞兰朱沛然王长安徐天冰李宏成翟永亮任孟眉周俊思
- 关键词：超导膜YBCO卢瑟福背散射溅射
- 1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究
- 1994年
- 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。
- 李岱青宫宝安万亚朱沛然周俊思徐天冰穆善明赵清太王忠烈
- 关键词：超晶格离子注入MEV能区
