刘嵘侃
- 作品数：24 被引量：33H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金国家部委预研基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法
- 本发明涉及一种降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法。包括半导体衬底材料、第一外延层、分裂浮空埋层、第二外延层、侧壁掺杂深槽、被保护器件、表面结终端和划片道。其中，被保护器件、表面结终端处于第二外延层中，分裂浮空埋层位于第二...
- 谭开洲唐昭焕刘嵘侃刘勇
- 文献传递
- 按比例缩小SiGe HBT能量传输模型被引量：2
- 2005年
- 针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹曼方程,得到不同区域电子温度的分布;并比较了不同基区宽度、不同Ge梯度下的电子温度曲线.结果发现在基区很薄的情况下,电子从基区向集电区渡越时,其温度逐渐升高,且大大高于晶格温度,且不同基区宽度基区电子温度变化率不同.
- 李垚刘嵘侃傅湘宁徐婉静
- 关键词：硅锗异质结双极晶体管电子温度
- 一种提高ESD性能的高压SBD器件结构研究被引量：1
- 2012年
- 提出了一种新型SBD器件结构,并应用于高压SBD产品的研制。该结构通过在肖特基势垒区的硅表面增加一层表面缓冲掺杂层(Improved Surface Buffer Dope),将高压SBD的击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到平坦的肖特基势垒区,从根本上提高了器件的反向静电放电(ESD)和浪涌冲击能力。经流片验证,采用该结构的10A150VSBD产品和10A200VSBD产品均通过了反向静电放电(HBM模式)8kV的考核,达到目前业界领先水平。该结构工艺实现简单,可以应用于100V以上SBD的批量生产。
- 钟怡许国磊欧宏旗义岚刘嵘侃
- 关键词：静电放电可靠性
- SPC在多品种小批量生产线的应用研究被引量：8
- 2007年
- 统计过程控制(SPC)是一种有效的质量管理工具,但由于半导体制造工艺过程的复杂性,常规的SPC模型已经不能对工艺过程状态进行有效的监控。着重论述了SPC在多品种、小批量半导体生产线上的实际应用;根据工艺特点,选取正确的SPC模型,通过采集数据、绘制控制图和数据分析,对图中异常点采用5M1E进行分析,既可及时发现工艺异常并进行纠正,又可排除非工艺原因造成的异常。该方法对提高工艺稳定性和产品质量有着非常重要的意义。
- 徐岚刘嵘侃陈亚兰贾新章
- 关键词：统计过程控制控制图
- 一种提升封装后的半导体器件抗盐雾能力的处理方法
- 本发明公开了一种提升封装后的半导体器件抗盐雾能力的处理方法，包括喷砂、去油、清洗、表面活化、镀保护层、清洗、脱水和烘培8个工艺步骤。本发明能够在金属外壳封装后的成本半导体器件上镀保护层，从而有效解决平行缝焊、储能焊或激光...
- 徐炀江德凤谈侃侃熊化兵刘嵘侃唐昭焕
- 文献传递
- 提升熔封封装的半导体器件可靠性的封装方法
- 本发明提供了一种提升熔封封装的半导体器件可靠性的封装方法，在制作专用电极、设置专用封帽参数及电极测高的基础上，先后结合点焊和平行缝焊，因地制宜地采用平行缝焊设备和平行缝焊工艺，对半导体器件的熔封外壳进行封帽，在短时间内即...
- 徐炀崔伟唐昭焕刘嵘侃赵科
- 低噪声CMOS图像传感器技术研究综述被引量：10
- 2020年
- 文章总结了低噪声CMOS图像传感器代表性关键技术的最新研究进展。从CMOS图像传感器架构及各模块设计的角度,介绍了有源像素结构和图像传感器架构,分析了广泛采用的像素内源跟随CMOS图像传感器读出电路及其噪声等效模型,重点介绍了低噪声CMOS图像传感器关键技术,包括共享参考像素差分共源放大器技术、相关多采样技术、像素内斩波技术,以及相关技术的电路级实现方式。
- 刘嵘侃邢德智唐昭焕徐炀
- 关键词：CMOS图像传感器低噪声模拟集成电路
- 基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件
- 2005年
- 采用干 /湿法腐蚀相结合技术 ,利用氢氧化钾 (KOH)溶液和六氟化硫 (SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀 ,研究自对准Si/SiGeHBT台面器件 ,获得了fT=4 0GHz ,fmax=12 7
- 刘道广郝跃徐世六李开成李培咸张晓菊张金凤郑雪峰张静刘嵘侃刘伦才
- 关键词：自对准SIGE材料
- 温湿度对制版图形缺陷的影响
- 2006年
- 介绍了制版工艺中常见的缺陷类型,分析了缺陷产生与温湿度的关系。通过实际工作应用,就缺陷控制的办法进行了有益的探讨,对光掩模版的制造有一定的指导意义。
- 任芳刘嵘侃
- 关键词：半导体工艺显影温湿度
- 一种提高半导体芯片键合可靠性的处理方法
- 本发明公开了一种提高半导体芯片键合可靠性的处理方法，在键合前先对半导体芯片进行等离子体清洗，然后进行真空烘培处理，再多次进行充氮气抽真空的操作，最后再次充入氮气，使真空烘箱中的气压达到常压，然后取出半导体芯片进行键合操作...
- 徐炀崔伟刘嵘侃唐昭焕谈侃侃
