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余海生

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究
  • 1篇水平法
  • 1篇气相外延
  • 1篇镓铝砷
  • 1篇镓铝砷化合物
  • 1篇ALGAAS
  • 1篇GASB单晶
  • 1篇MOVPE

机构

  • 2篇中国科学院上...

作者

  • 2篇余海生
  • 1篇夏冠群
  • 1篇莫金玑
  • 1篇蒋玉兰
  • 1篇公延宁

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1991
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
水平法生长GaSb单晶的研究被引量：1
1991年
本文采用独特的工艺和装置,用水平法研制GaSb单晶.已获得不掺杂p型晶体,室温下其载流子浓度和迁移率分别为1.0～1.7×10^(17)cm^(-3)和630～780cm^2/V·s;渗Te的n型单晶两者分别为1.4×10^(18)cm^(-3)和2690cm^2/V·s,成晶率大于50%.本文还探讨了研制过程中存在的几个问题.
余海生蒋玉兰胡建廖丽英
关键词：水平法
MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究
2000年
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ 的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分配系数ｋＡｌ之间的关系式．之后，依据该关系式分析实验数据，并对ｋＡｌ的动力学行为规律进行了研究．结果表明，ｋＡｌ值大小与ＡｌＡｓ 和ＧａＡｓ 的生长效率（单位ⅢＡ 族原子输入量下材料的生长速率）之比Ｋ 的大小有关：ｋＡｌ随Ｋ 的增加而增大；当Ｋ＞ １ 时，ｋＡｌ＞ １，当Ｋ＜ １ 时，ｋＡｌ＜ １，实际情况以前者居多；只有当Ｋ＝ １ 时才ｋＡｌ＝ １．此外，生成ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ 的表观反应活化能Ｅａ１和Ｅａ２的不同会导致Ｋ，进而ｋＡｌ随生长温度发生变化：当Ｅａ１＞ Ｅａ２时，ｋＡｌ随生长温度的升高而减小，当Ｅａ１＜ Ｅａ２时，ｋＡｌ随生长温度的升高而增大，论文得到的结果属后种；只有当Ｅａ１＝ Ｅａ２时，ｋＡｌ才不随生长温度发生变化．再者，ｋＡｌ还会随Ａｌ在气相ⅢＡ 族原子中的原子百分含量ｘⅤＡｌ的增加而减小．
公延宁莫金玑余海生夏冠群
关键词：镓铝砷化合物气相外延动力学MOVPE
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