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何志刚

作品数:27 被引量:25H指数:2
供职机构:中国工程物理研究院更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 4篇专利

领域

  • 18篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 9篇芯片
  • 8篇塑封
  • 5篇封装
  • 4篇塑封器件
  • 4篇超声
  • 4篇超声检测
  • 3篇倒装芯片
  • 3篇电路
  • 3篇塑封料
  • 3篇环氧
  • 3篇环氧塑封料
  • 3篇封装器件
  • 3篇BGA
  • 2篇低温共烧陶瓷
  • 2篇电镜
  • 2篇电子芯片
  • 2篇电子元
  • 2篇电子元器件
  • 2篇虚焊
  • 2篇压应力

机构

  • 27篇中国工程物理...
  • 4篇中国工程物理...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 27篇何志刚
  • 14篇梁栋程
  • 10篇王晓敏
  • 6篇周庆波
  • 4篇王淑杰
  • 3篇胡睿
  • 3篇梁堃
  • 2篇唐昶宇
  • 2篇梁堃
  • 1篇黄武康

传媒

  • 3篇电子产品可靠...
  • 3篇微电子学
  • 2篇电子显微学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
表贴元件镜检样品制备
2018年
表贴元件广泛地应用于各种电子设备和武器装备中,其可靠性对电子设备系统具有重要的影响。为了提高表贴元件的使用可靠性,发现产品失效或潜在失效,需要对元件进行制样镜检。通过试验对比冷、热镶嵌方法的效果,确定冷镶嵌更适合表贴元件的样品制备;通过研究研磨各个参数条件与损伤层厚度的关系,发现:研磨时损伤层越厚划痕越大,损伤层厚度与研磨时间、转速、压力和砂纸等条件都有关系,其中砂纸粒度对损伤层厚度的影响最大;最后,列举了研究成果在失效分析中的应用案例。
龚国虎金洪斌梁栋程何志刚
关键词:研磨
BGA焊接质量的X射线检查研究
BGA焊接质量检测难度大,缺乏检测标准的问题.通过总结归纳常见的BGA焊接缺陷(包括焊球桥连、焊球缺失、焊球移位、焊球空洞、虚焊和枕头效应);分析这些缺陷特点,提出用X射线(二维成像和3D断层扫描)来检查BGA焊接质量....
何志刚
关键词:球栅阵列封装X射线检查微观形貌
二次熔融SiP产品的失效分析被引量:1
2021年
针对某系统级封装(SiP)开展失效分析。首先,基于用户提供的失效信息作出合理的初步判定,缩小失效模式范围;然后,对产品先后进行无损检测和破坏性检测,定位失效点并确定失效原因;最后,结合失效信息和检测结果对失效机理进行了阐述,并针对产品生产工艺提出了改进意见。
张玉兴梁堃何志刚
关键词:系统级封装无损检测
倒装芯片封装器件开封方法
本发明涉及一种倒装芯片封装器件开封方法,包括以下步骤:S100)、对器件进行X射线检查,获得器件的X光照片;S200)、进行器件镶嵌;S300)、以器件的X光照片为参照对镶嵌后的器件进行研磨;S400)、对研磨后的器件进...
何志刚
文献传递
TSV阵列在温度循环下的晶格变化对电学性能影响的研究被引量:1
2024年
针对TSV(Through Silicon Via,硅通孔)热机械可靠性较差且其结构特性变化对电学性能影响情况不明的问题,基于一种TSV阵列叉指电极对样品开展了-55~125℃的温度循环试验,测试了温循后阵列电极的电学性能与边界绝缘性能变化,跟踪测试了TSV铜柱的几何尺寸变化,对比分析了试验前后TSV结构的形貌和晶格特性等衍化规律。结果表明,温度循环载荷导致了TSV-Cu晶粒向上生长、铜柱体积变大、微观结构缺陷产生以及电学性能退化;此外,还定量地构建了晶格特性变化对TSV阵列电极电学性能影响的关系架构,具有一定的工程意义。
梁堃王月兴何志刚赵伟
关键词:温度循环绝缘性能
倒装芯片封装器件开封方法研究被引量:1
2015年
对倒装芯片封装(Flip-Chip Package)器件开封技术进行了研究。总结了倒装芯片封装的类型、结构和封装材料;从理论上证明了倒装芯片封装器件开封的可能,并找出了限制开封的制约因素;提出了一种倒装芯片封装器件开封方法,通过X射线检查、镶嵌、磨抛和酸刻蚀的综合应用,突破了限制这类器件开封的因素,并证明了该方法的适用性;给出了建议的试验条件,并展示了开封效果。
何志刚梁堃龚国虎周庆波王晓敏
关键词:倒装芯片磨抛
一种基于神经网络的塑封电子元器件缺陷识别系统及方法
本发明公开了一种基于神经网络的塑封电子元器件缺陷识别系统,该系统包括超声波换能器、电动控制单元、脉冲发射接收器、相位检测单元、信号转换单元、神经网络单元和微处理控制器。该方法包括如下步骤:训练神经网络;系统状态初始化;神...
艾凯旋梁栋程何志刚张玉兴刘云婷胡睿季航
银浆沾污引起的芯片损伤机理分析
对两只塑封器件开封后进行内部目检,发现一只样品存在金属层损伤缺陷,另一只样品芯片表面有大量多余物.利用扫描电镜和能谱仪对缺陷部位和多余物进一步进行形貌观察和元素成分分析,结果表明金属层损伤部位有导电银浆残留物,损伤形貌明...
梁栋程何志刚王淑杰龚国虎
关键词:电子芯片压应力
基于A-Scan和C-Scan的多层陶瓷结构介质缺陷无损检测被引量:2
2020年
针对多层陶瓷结构(MCS)介质缺陷的超声检测(UT)技术开展了研究。首先,以多层瓷介电容器(MLCC)结构为例,通过薄层反射理论计算并证明了UT对空洞和分层等介质缺陷检测的适用性和有效性,即较低的频率对极薄的空隙也有很强的反射信号;同时,给出了C-Scan检测参数建议,包括等效焦距、表面波时间、门限和增益。其次,对MCS进行了实际的UT检测验证,表明50 MHz是最佳的筛选频率。最后,给出了A-Scan判别缺陷的理论依据和渡越时间定位缺陷纵深定位的方法,并通过制样检测进行了验证。
何志刚梁栋程龚国虎王晓敏
关键词:低温共烧陶瓷超声检测
基于超声A-Scan和C-Scan的MLCC介质缺陷无损检测
本文针对多层瓷介电容器(Multi-layer Ceramic Capacitors,MLCC)介质缺陷的超声检测(Ultrasonic Testing,UT)技术开展了深入研究.首先,通过理论分析证明了UT对MLCC介...
何志刚梁栋程龚国虎王晓敏
关键词:多层瓷介电容器超声检测
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