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黄芊芊

作品数：172 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 145篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 32篇电子电信
  • 21篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 2篇理学

主题

  • 75篇晶体管
  • 51篇场效应
  • 50篇场效应晶体管
  • 46篇沟道
  • 36篇逻辑器件
  • 34篇电路
  • 34篇铁电
  • 28篇存储器
  • 22篇隧穿
  • 22篇半导体
  • 17篇电流
  • 15篇硬件开销
  • 15篇集成电路
  • 14篇功耗
  • 13篇低功耗
  • 12篇源区
  • 12篇介质层
  • 10篇栅压
  • 10篇超大规模集成
  • 10篇超大规模集成...

机构

  • 146篇北京大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 146篇黄芊芊
  • 144篇黄如
  • 51篇王阳元
  • 37篇吴春蕾
  • 30篇詹瞻
  • 27篇王佳鑫
  • 14篇陈诚
  • 13篇赵阳
  • 12篇邱颖鑫
  • 11篇王慧敏
  • 10篇朱昊
  • 8篇叶乐
  • 8篇陈亮
  • 4篇廖怀林
  • 4篇杨东
  • 4篇安霞
  • 4篇苏畅
  • 4篇谭斐
  • 4篇蔡一茂
  • 4篇张兴

传媒

  • 1篇中国科技奖励

年份

  • 2篇2025
  • 25篇2024
  • 10篇2023
  • 12篇2022
  • 6篇2021
  • 9篇2020
  • 7篇2019
  • 7篇2018
  • 13篇2017
  • 5篇2016
  • 8篇2015
  • 10篇2014
  • 9篇2013
  • 13篇2012
  • 10篇2011
共 172 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种三维存储器结构及其集成方法
本发明提供了一种三维存储器结构及其集成方法，属于半导体技术领域。本发明存储器结构由多个单元结构自下而上堆叠组成，每个单元结构包括一种环栅低功耗双向导通器件作为存储器的写入管和一种环沟道高性能器件作为存储器的读出管，写入管...
黄芊芊王凯枫黄如
一种面向存内计算系统的加密方法
本发明提出了一种面向存内计算系统的加密方法，属于神经网络加速器领域。本发明提出带有栅存储层的具备双极输运特性的场效应晶体管器件作为能实现XNOR操作的密文权重存储单元；利用非易失的栅存储机制实现密文权重的存储，同时可控双...
黄如罗金黄芊芊
一种双围栅结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的晶体管具有双围栅结构，一个外围栅(outer gate)和一个内围栅(inner gate)，以及垂直半导体衬底的环状沟道区、环状的源区和环状的漏区。其中内围栅包括内...
黄如邱颖鑫詹瞻黄芊芊
一种隧穿场效应晶体管器件的隔离方法
本发明提供了一种隧穿场效应晶体管器件的隔离方法，属于微纳电子学技术领域。本发明在TFET器件的基础上加入了三个隔离结构，不同隧穿场效应晶体管的同种掺杂类型的源漏区之间的漏电通路中，不论是源漏区与隔离结构二之间，还是隔离结...
黄芊芊王凯枫黄如
一种半导体器件结构及其制备方法和应用
本发明公开了一种半导体结构及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本发明提出的半导体器件结构中，互补沟道层材料为氧化物半导体材料，具有宽禁带的特点，可以获得较低的器件关态电流，且利用沟道层材料为轻掺杂或者无掺杂的半导体衬...
黄芊芊王凯枫黄如
一种混合导通机制的场效应晶体管
本发明公布了一种混合导通机制的场效应晶体管，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该混合导通机制场效应晶体管包括源极、漏极、沟道区以及控制栅，其中源极包含隧穿源极与扩散源极两个部分。对于N型...
黄如詹瞻黄芊芊王阳元
抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙以及LDD区，其中在半导体体区引入两个防止泄漏通道产生的隔离保护层，该隔离...
黄如谭斐安霞黄芊芊杨东张兴
文献传递
隧穿电流放大晶体管
本发明公布了一种隧穿电流放大晶体管，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿电流放大晶体管包括半导体衬底、发射极、漏极、浮空隧穿基极以及控制栅，所述漏极、浮空隧穿基极以及控制栅构成一个常...
黄如詹瞻黄芊芊王阳元
文献传递
一种肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法
一种肖特基势垒MOS晶体管，包括一个环状栅电极(3)，一个环状栅介质层(2)，环状栅电极侧墙(4)，一个半导体衬底，一个源区(5)，一个环状漏区(6)，其特征是，所述半导体衬底具有有凸起台阶结构；源区位于凸起台阶较高的平...
黄如江文哲黄芊芊詹瞻邱颖鑫
超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法
本发明提供了一种超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿场效应晶体管采用具有芯‑多层壳的纳米线结构，该结构中的多壳层部分的材料禁带宽度沿...
黄如吴春蕾黄芊芊樊捷闻王阳元
文献传递
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