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重掺硅中氧的测定: 本文研究重掺硅中氧的测定,实验首先选用轻掺(ρ＞10Ω·CM)样品分别用氧体熔化分析法(GFA法,LECO RO-416测氧仪)和付立叶变换红外法(FTIR法,Nicolet410)测氧,而后用GFA法测定了重掺锑、砷、...; 刘培东浙江浙大海纳科技股份公司(杭州)应啸黄笑容李立本阙端麟; 关键词：重掺硅; 文献传递

少数载流子寿命仪在太阳电池制备中的应用: 少数载流子寿命仪是表征半导体材料质量的一个重要参数.本文主要研究了不同部位的铸造多晶硅硅片在磷吸杂前后以及氮化硅沉积前后少数载流子寿命的变化,揭示少数载流子寿命仪在原生材料判别、磷扩散吸杂以及表面和体钝化等这些电池制备工...; 席珍强黄笑容杨德仁; 关键词：半导体材料太阳电池; 文献传递

重掺硅中氧的测定被引量：5: 2001年; 研究了重掺硅中氧的测定 ,实验首先选用轻掺 (ρ>10Ω· cm)样品分别用气体熔化分析法 (GFA法 )和傅里叶变换红外法 (FTIR法 )测氧 ,而后用 GFA法测定了重掺锑、砷、硼单晶的氧浓度 .实验发现用 GFA法和 FTIR法测氧 ,二者的结果成很好的线性关系 ,为便于比较可将重掺硅在 GFA法下的测定结果转换为 FTIR法下的测定结果 ,还对影响 GFA法测定结果的样品制取、样品处理。; 刘培东黄笑容沈益军李立本阙端麟; 关键词：硅中氧红外光谱

氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用被引量：10: 2001年; 通过常温下压痕之后的高温热处理实验 ,研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用 ,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理 .实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用 ,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶 (CZSi) .同时指出 ,NCZSi的位错激活能比 CZSi的要高 ,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较 CZSi快。; 李东升杨德仁朱爱平黄笑容王淦张锦心李立本阙端麟; 关键词：单晶硅位错半导体材料

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生缺陷研究: 氧是直拉硅单晶中最重要的杂质之一，利用氧沉淀及其诱生缺陷作为器件制造过程中有害金属杂质沾污吸除的氧内吸杂工艺在轻掺硅单晶中得以广泛而深入地研究。近年来，不断发展的CMOS工艺普遍采用重掺硅片衬底／外延层结构并与氧内吸杂工...; 黄笑容; 关键词：直拉硅单晶氧沉淀诱生缺陷掺杂改性; 文献传递

单晶硅太阳电池的表面织构化被引量：39: 2002年; 一种新型的腐蚀剂 ,磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液 ,首次被用来腐蚀单晶硅太阳电池。在 70℃下 ,用 3%的磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液腐蚀 2 5min就能在硅片表面形成金字塔大小均匀、覆盖率高的绒面结构 ,并且其表面反射率也很低。通过SEM观察发现 :开始时 ,随着腐蚀时间的增加 ,金字塔的密度越来越大 ,最后达到饱和 ;而且对于不同的浓度 ,温度 ,这种饱和时间不同 ;如果腐蚀时间过长 ,金字塔的顶部就会发生崩塌 ,从而导致表面发射率的升高。虽然异丙醇 (IPA)在氢氧化钠 (NaOH)溶液中会明显地改善织构化的效果 ,但是在磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液中却会对织构化有很强的负面效应。最后 ,在实验的基础上对腐蚀机理进行了深入地探讨并认为 :择优腐蚀是金字塔形成的最基本的原因 ,而缺陷、PO3 -4 或HPO2 -4 和异丙醇等仅仅是促进大金字塔形成的原因。这种腐蚀剂的成本很低 ,不易污染工作环境且可重复性好 ,所以有可能用于大规模生产。; 席珍强杨德仁吴丹张辉陈君李先杭黄笑容蒋敏阙端麟; 关键词：单晶硅织构磷酸钠

高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制被引量：1: 2005年; 应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀．实验表明：高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀，一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀，碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大，红外光谱上1230cm^-1处无氧沉淀的特征峰，TEM观察这种氧沉淀是10～30nm高密度的球状小沉淀；另一种氧沉淀类似于低碳样品中均匀成核长大的氧沉淀，它在红外光谱上1230cm^-1处有吸收峰，TEM观察这种氧沉淀是100～300nm各种形态的大沉淀．热处理条件不同可以改变两种机制相互竞争的优势，低于900℃的热处理以异质成核为主，而只有经过1200℃高温预处理破坏异质核心后，再在900℃以上热处理时，均匀成核长大的氧沉淀才会占优势．; 刘培东姜益群黄笑容沈益军李立本阙端麟; 关键词：氧沉淀直拉硅硅中氧

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷被引量：7: 2004年; 研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .; 黄笑容杨德仁沈益军王飞尧马向阳李立本阙端麟; 关键词：氧沉淀

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黄笑容