您的位置： 专家智库 > >

鲁耀华

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：清华大学校科研和教改项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇双极晶体管
  • 1篇稳态
  • 1篇稳态模型
  • 1篇晶体管
  • 1篇缓冲层
  • 1篇关断
  • 1篇关断特性

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇鲁耀华
  • 2篇田立林
  • 2篇张莉

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
沟槽绝缘栅晶体管的解析模型研究
沟槽绝缘栅双极晶体管TrenchIGBT (以下简称TIGBT)作为一种重要的新型功率MOS器件,在功率电子系统中的应用越来越广.由于TIGBT特殊的器件结构,传统的半导体集成电路器件模型不能用于TIGBT的电路模拟,因...
鲁耀华
关键词：双极晶体管
TIGBT的稳态和瞬态模型
2003年
从沟槽绝缘栅双极晶体管 (TIGBT)的物理结构出发 ,提出了 TIGBT的稳态模型和瞬态模型 .该模型不仅考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用增强效应 ,而且还考虑到缓冲层对器件性能的影响 .通过与器件模拟结果的比较 ,表明该模型能准确地描述 TIGBT稳态和瞬态时的物理特性 .
张莉鲁耀华田立林
关键词：稳态模型缓冲层
TIGBT的瞬态解析模型
2003年
　提出了一种含缓冲层的沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的瞬态解析模型。该模型不仅考虑到TIGBT的高掺杂缓冲层处于小注入状态,分析了缓冲层对TIGBT关断特性的影响,而且还考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用的影响。通过与数值模拟结果的比较,表明该模型能准确地描述TIGBT瞬态时的物理特性。
鲁耀华张莉田立林
关键词：关断特性
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0