公共文化服务平台

2025年5月3日星期六

欢迎来到鞍山市图书馆•公共文化服务平台

一种功率MOS器件: 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率MOS器件。本发明包括具有高K介质延伸栅结构的元胞结构、漏延伸区和介质槽终端，且多个元胞结构并联排布，使得器件具有以下特点：兼顾VDMOS可并联产生大电流以及LDMOS易集成...; 罗小蓉尹超谭桥张彦辉刘建平周坤魏杰马达吴俊峰; 文献传递

一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件。本发明具有以下几个特点：一、具有三个分离的栅结构，包括一个平面栅和两个沟槽栅，在开态时，三栅结构可以形成包括横向和纵向在内的多个沟道，增大...; 罗小蓉吕孟山尹超魏杰谭桥周坤葛薇薇何清源; 文献传递

一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件: 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，主要通过在较厚的缓冲层中引入负电荷，达到提高器件击穿电压或者阈值电压的目的，且不会引入附加寄生电容，同时与在较薄的势垒层中...; 罗小蓉杨超熊佳云魏杰周坤吴俊峰张波李肇基; 文献传递

一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，其导电材料里面是高浓度的P型掺杂，且在槽壁一侧引入低浓度的N型掺杂区；...; 罗小蓉杨洋魏杰欧阳东法王晨霞樊雕赵哲言孙涛邓高强; 文献传递

一种横向SOI功率半导体器件: 一种横向SOI功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层，器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区；其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体...; 罗小蓉王骁玮范叶范远航尹超魏杰蔡金勇周坤张彦辉张波李肇基; 文献传递

一种集成SBD的超结MOSFET: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版...; 罗小蓉黄俊岳宋旭郗路凡魏杰戴恺纬张森; 文献传递

具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件。该结构通过添加一个与半桥下管并联的，具有与下管相同开关状态的Sub晶体管，在Sub晶体管开启的过程中实现了对衬底中所积累的电...; 薛刚邓高强李江欢骆成涛魏杰罗小蓉

超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展: 2025年; 氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材料热导率低和缺陷多也导致器件发生电学特性漂移、性能加速退化等可靠性问题。本文首先介绍本团队在氧化镓功率器件新结构方面的研究进展,对研制的样品进行测试分析并研究其电热特性;然后开展了氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结场效应晶体管(HJFET)的电热可靠性研究,本团队提出电离陷阱模型和界面偶极子电离模型解释其性能退化机制,此外,提出了一种新的可靠性加固技术,以提高β-Ga_(2)O_(3)HJFET的电热可靠性。结果表明,氧化镓功率器件在高压、低功耗和高可靠性应用方面具有很大潜力。这些研究为氧化镓功率器件设计和优化提供新的思路,有力助推氧化镓功率器件实用化进程。; 魏雨夕马昕宇江泽俊魏杰罗小蓉; 关键词：氧化镓功率半导体器件电热特性

一种LDMOS器件的制造方法: 本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层键合剥离形成介质隔离层...; 罗小蓉张彦辉刘建平谭桥尹超魏杰周坤吕孟山田瑞超张波; 文献传递

一种横向MOSFET器件的制造方法: 本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为：通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤，使注入的离子与硅反应形成U型介质层，同时在介质层表面仍保留有单晶硅层，...; 罗小蓉刘建平张彦辉谭桥尹超周坤魏杰阮新亮李鹏程张波; 文献传递

魏杰