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陶举洲

作品数：6 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇乙烯
  • 2篇硬脂
  • 2篇硬脂酸
  • 2篇优良率
  • 2篇束线
  • 2篇硼化
  • 2篇硼化合物
  • 2篇自定位
  • 2篇接触面
  • 2篇聚乙烯
  • 2篇化合物
  • 2篇分子量
  • 2篇高分子
  • 2篇高分子量
  • 2篇高分子量聚乙...
  • 2篇插入件
  • 2篇超高分子量
  • 2篇超高分子量聚...
  • 2篇穿墙
  • 2篇穿墙管

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇清华大学

作者

  • 5篇陶举洲
  • 3篇柯于斌
  • 3篇王凌倩
  • 2篇周健荣
  • 2篇盛伟繁
  • 2篇王灵淑
  • 1篇张翔

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种防辐射屏蔽穿墙管插入件的快装结构及快装方法
本发明公开了一种防辐射屏蔽穿墙管插入件的快装结构及快装方法。本快装结构的插入件的底部接触面为滚动支撑接触面，插入件通过一限位导向结构固定安装在穿墙管中。进一步的，穿墙管的底面上固定安装一基座，滚动支撑接触面设置在基座的上...
付金煜陶举洲王灵淑盛伟繁
文献传递
一种防辐射屏蔽穿墙管插入件的快装结构及快装方法
本发明公开了一种防辐射屏蔽穿墙管插入件的快装结构及快装方法。本快装结构的插入件的底部接触面为滚动支撑接触面，插入件通过一限位导向结构固定安装在穿墙管中。进一步的，穿墙管的底面上固定安装一基座，滚动支撑接触面设置在基座的上...
付金煜陶举洲王灵淑盛伟繁
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中子屏蔽材料及制备工艺
本发明公开了一种中子屏蔽材料及制备工艺。所述中子屏蔽材料包含：超高分子量聚乙烯、至少一种硼化合物、和至少一种硬脂酸或其盐。本发明还提供了制备该中子屏蔽材料的方法。本发明中子屏蔽材料具有成本低廉、制备简单、成型性好、产品优...
柯于斌陶举洲周健荣王凌倩
文献传递
中子屏蔽材料及制备工艺
本发明公开了一种中子屏蔽材料及制备工艺。所述中子屏蔽材料包含：超高分子量聚乙烯、至少一种硼化合物、和至少一种硬脂酸或其盐。本发明还提供了制备该中子屏蔽材料的方法。本发明中子屏蔽材料具有成本低廉、制备简单、成型性好、产品优...
柯于斌陶举洲周健荣王凌倩
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粘结碳化硼材料中子屏蔽性能及制备工艺研究被引量：1
2013年
中子准直器在中国散裂中子源(CSNS)的谱仪上起着限制束流截面与发散度的作用,准直器的结构设计中通过在中子飞行管上间隔设置B4C阻挡块可以起到阻挡、吸收屏蔽杂散中子的作用,为此研制了粘结碳化硼中子阻挡块,并对其成型工艺进行了研究,确定了成型最佳粉体尺寸、粘结剂含量和固化温度.对该中子屏蔽材料的中子衰减系数计算结果表明,波长为0.1×10-10、1×10-10和15×10-10m中子通过该材料的线性衰减系数分别为3.42、30.4和449.9 cm-1.力学冲击和热重实验结果也表明该材料符合在CSNS谱仪中子束线屏蔽使用中的性能要求.
柯于斌陶举洲张翔王凌倩
关键词：环氧树脂中国散裂中子源
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