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问峰

作品数：48 被引量：1H指数：1
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 46篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 14篇电子电信
  • 5篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 38篇金刚石
  • 38篇刚石
  • 26篇单晶金刚石
  • 16篇晶体管
  • 16篇场效应
  • 16篇场效应晶体管
  • 12篇欧姆接触
  • 10篇欧姆接触电极
  • 10篇接触电极
  • 8篇势垒
  • 7篇电极
  • 7篇探测器
  • 7篇肖特基
  • 7篇金刚石表面
  • 6篇碳化
  • 6篇透镜
  • 6篇沟道
  • 6篇高导电
  • 6篇SIC
  • 6篇P-

机构

  • 48篇西安交通大学
  • 1篇阿肯色大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇广东省公安消...

作者

  • 48篇问峰
  • 47篇王宏兴
  • 44篇王玮
  • 29篇张明辉
  • 23篇卜忍安
  • 22篇侯洵
  • 19篇赵丹
  • 9篇李奇
  • 9篇王娟
  • 9篇朱天飞
  • 7篇张景文
  • 4篇张鹏飞
  • 2篇冯永昌
  • 1篇楼兰
  • 1篇张彦鹏
  • 1篇肖敏
  • 1篇贺嘉楠
  • 1篇秦勐哲
  • 1篇王若铮

传媒

  • 1篇物理学进展
  • 1篇超硬材料工程

年份

  • 8篇2024
  • 4篇2023
  • 6篇2021
  • 8篇2020
  • 11篇2019
  • 7篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2013
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED
本实用新型公开了一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属...
王宏兴刘璋成赵丹张明辉王玮问峰卜忍安侯洵
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(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法
本发明公开了一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法，解决了现有技术中(100)取向n型单晶金刚石欧姆制备难、比接触电阻率大的问题。该形成方法，包含以下步骤：步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石表面进行研...
王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
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一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法
本申请公开了一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法，该激光匀质系统包括激光器、以及依次设置的小孔、扩束系统、匀质元件、匀质凸透镜、以及屏幕。匀质元件包括金属铱薄膜、以及制备于金属铱薄膜上的微透镜阵列，微透镜阵列采用...
朱天飞梁言刘璋成王艳丰邵国庆何适问峰王宏兴
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氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法，在金刚石衬底1上生长出氢终端金刚石外延薄膜2，在氢终端金刚石外延薄膜2上制备出源极3和漏极4，沉积介质层5覆盖所有结构，对介质层5图形化处理，保留源极3、漏...
王宏兴王艳丰常晓慧王玮问峰王若铮侯洵
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一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法
本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的Al<...
王玮王宏兴问峰张明辉林芳陈根强
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一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED
本实用新型公开了一种垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，所述单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，所...
王宏兴刘璋成赵丹张明辉王玮问峰卜忍安侯洵
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低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；导电...
王玮王宏兴张明辉林芳问峰王艳丰陈根强卜忍安
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一种金刚石场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域...
王玮梁月松牛田林熊义承陈根强冯永昌方培杨王艳丰林芳张明辉问峰卜忍安王宏兴侯洵
一种单晶金刚石n-i-p结核动力电池及其制备方法
本发明的目的是提供一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池及其制备方法，解决了现有金刚石肖特基结核动力电池开路电压低、输出电流小的问题，从而提升金刚石核动力电池的性能和应用前景。该一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池，包括层...
王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管
本发明提供了一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法，其包括以下步骤：S1，预处理；S2，保护性生长第一步：向所述生长腔室持续通入流量为300‑500sccm的H<Sub>2</Sub>，后设定微波功率＝2500‑30...
张鹏飞王宏兴李奉南王玮问峰张明辉朱天飞张晓凡
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