金飞 作品数:8 被引量:13 H指数:1 供职机构: 北京航空航天大学 更多>> 相关领域: 一般工业技术 电子电信 电气工程 理学 更多>>
高密度高导电性ITO靶研制 被引量:12 2006年 采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(Indium Tin Oxide)靶相对密度达到97%~99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率. 张维佳 王天民 崔敏 金飞 丁照崇 阎兰琴关键词:ITO 烧结剂 掺杂 新型红外Ge1-xCx膜制备、微结构及力学性能研究 本文利用等离子体化学气相沉积的方法(PECVD)在ZnS基底上制备了组织成分可调(x值可调)的Ge1-xCx过渡层,其折射率随组分x的不同在2~4 的范围内变化。对薄膜样品进行了X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XP... 闫兰琴 张维佳 丁照崇 金飞 张心强 武美伶 王天民关键词:微结构 附着力 抗腐蚀性 PECVD 文献传递 纳米硅层状薄膜及其p-i-n太阳能电池的研制 被引量:1 2007年 通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别制备了本征、掺磷和掺硼的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),并制备出纳米硅复合层状薄膜.对薄膜样品进行了喇曼(Raman)散射谱,X射线衍射等分析测试.结果表明:掺杂元素对纳米硅薄膜的晶态比和晶粒大小存在不同程度的影响;通过薄膜表面衍射(XRD)可得到硅的(111),(220)和(311)三个晶面衍射峰;并在制得的纳米硅复合层状薄膜的基础上,制备了结构为Al/ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Al/Ag的太阳能电池.该电池的开路电压、短路电流和填充因子与非晶硅太阳电池相比,均得到很大的提高. 金飞 张维佳 贾士亮 丁照崇 闫兰琴 王天民 李国华关键词:PECVD 太阳能电池 半导体薄膜 掺NbITO膜的光电性能研究 本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜.研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的光学性能和电学性能的影响.通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍射(XRD)及... 丁照崇 张维佳 金飞 闫兰琴 张心强 武美伶 贾士亮 王天民关键词:光电性能 直流磁控溅射法 文献传递 掺NbITO膜的光电性能研究 本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜。研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的光学性能和电学性能的影响。通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍射 (XRD)... 丁照崇 张维佳 金飞 闫兰琴 张心强 武美伶 贾士亮 王天民关键词:ITO膜 光电性能 文献传递 智能建筑控制系统集成的设计与应用 金飞关键词:INTELLIGENT 新型红外Ge1-xCx膜制备、微结构及力学性能研究 本文利用等离子体化学气相沉积的方法(PECVD)在ZnS基底上制备了组织成分可调(x值可调)的Ge1-xCx过渡层,其折射率随组分x的不同在2~4的范围内变化.对薄膜样品进行了X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS... 闫兰琴 张维佳 丁照崇 金飞 张心强 武美伶 王天民关键词:微结构 抗腐蚀性 PECVD 等离子体化学气相沉积 文献传递 硅基纳米硅薄膜太阳电池的研制 金飞关键词:纳米硅薄膜 太阳电池