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文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇光电
  • 3篇光电探测
  • 2篇探测器
  • 2篇光电探测器
  • 2篇光致
  • 2篇负阻
  • 1篇振荡
  • 1篇振荡特性
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列设计
  • 1篇三极管
  • 1篇双极型
  • 1篇奇异性
  • 1篇物理模型
  • 1篇响应速度
  • 1篇光电三极管
  • 1篇光电探测器件
  • 1篇光强
  • 1篇负阻器件
  • 1篇负阻效应

机构

  • 5篇武汉大学

作者

  • 5篇辛火平
  • 4篇何民才
  • 4篇陈炳若
  • 3篇陈长清
  • 2篇石晓红
  • 1篇黄启俊

传媒

  • 1篇高技术通讯
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 2篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
光致负阻双极型光电三极管2×8阵列设计
1995年
探讨并分析具有光致负阻特性的双极型硅光电三极管阵列中各单元器件设置偏流隔离电阻的必要性。给出了2×8阵列整体设计的初步方案及试验结果。
陈炳若陈长清黄启俊辛火平
关键词:光电三极管阵列
一种间接耦合光电探测器件响应速度的奇异性被引量:1
1995年
我们在一种间接耦合光电探测器中发现的光致负阻呈“N”型”(图1),它实质上是一种三端电压控制型负阻。
陈长清何民才辛火平陈炳若刘志伟
关键词:光电探测器响应速度奇异性
间接耦合光电探测结构光致负阻效应的物理模型被引量:7
1994年
系统地报道和探讨了在研究间接耦合光电探测结构光致负阻特性中所发现的一系列实验现象.在对这些实验现象综合分析的基础之上,提出了一种由一横向PNPN四重结构与一纵向NPN管相互作用所产生的负阻效应的新模型.利用负阻峰域载流子特殊的输运机制,设计和研制出了上升、下降时间均为2ns左右,内部电流增益大于30倍的硅光电探测单元器件.
陈长清何民才辛火平陈炳若
关键词:光电探测器件
光致负阻器件的振荡特性
1994年
通过对光致负阻器件的进一步研究,我们发现利用光脉冲可以方便地控制这种器件输出的振荡波形的个数。另外,输出振荡波形还可以通过在适当的电偏置之后加较弱的入射光或完全由电注入而获得,这就为此器件的应用提供了广阔前景。
石晓红辛火平何民才
关键词:光强振荡
间接耦合光电探测结构中光致负阻特性的进一步实验研究被引量:1
1993年
何民才石晓红辛火平陈长青陈炳若
关键词:光电探测
共1页<1>
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