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谢晓锋

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇短沟道
  • 1篇沟道
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇MOSFET
  • 1篇MOSFET...

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇于奇
  • 1篇刘永强
  • 1篇杨谟华
  • 1篇谢晓锋

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1998
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
短沟道MOSFET器件物理模型研究
1998年
通过求解经修正的二维泊松方程，并考虑了主要的短沟效应和高场效应，得到一个描述短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件Ｉ－Ｖ特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚阈区在内的不同工作区域，对０．８μｍ和１．４μｍ器件的漏极电流特性能较好地描述，可应用于亚微米、深亚微米级ＭＯＳＦＥＴ的电路模拟。
谢晓锋于奇刘永强杨谟华
关键词：半导体器件MOSFET
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共1页<1>
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