蒲大勇
- 作品数：11 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种铁氧体移相驱动器专用集成电路被引量：1
- 1998年
- 介绍了ＳＡ０１８铁氧体移相驱动器专用集成电路的工作原理、电路设计和实验结果。该电路的内部电路设计有双路激励驱动器、放大器、积分器和双路高速比较器等功能单元。将铁氧体移相器的激励驱动器和相位控制器融于一体，大大减少了铁氧体移相器的外围设计。
- 苏丽萍林乃喜蒲大勇曾莉
- 关键词：专用集成电路移相器铁氧体移相驱动器
- 一种高速CMOS模拟开关的研制
- 本文介绍了一种高速CMOS模拟开关的研制,在TTL电平转换上采用两个支路同时工作,独特的衬底偏置设计保证开关的高速性能,在工艺上采用SI栅自对准CMOS工艺,研制的开关的导通和关断时间小于50ns.
- 胡永贵蒲大勇李俊
- 关键词：CMOS开关单片集成电路
- 文献传递
- 单片式电话防盗打、防窃听保护器
- 本实用新型涉及的单片式电话防盗打、防窃听保护器，它由一块内含基准、检测、振荡、调制、显示驱动及高压隔离电路的集成芯片SAO14及外围元件构成。本实用新型能自动检测被保护线路，当检测到电话线路被盗用或被窃听的信号时，即将干...
- 胡刚毅龚建波郭林蒲大勇陈伟
- 文献传递
- 一种低压差+5V三端电源的研制
- 本文介绍了一种CMOS低压差+V三端稳压源的研制.在电路设计上采用PMOS管作为调整管,用带隙基准和NMOS基准两种结构;在工艺上采用硅栅自对准CMOS工艺均作出了100mA压差为0.3V的+5V三端电源.其中采用NMO...
- 胡永贵李俊蒲大勇崔伟
- 关键词：调整管带隙基准误差放大器
- 文献传递
- 铁氧体驱动与双路功率MOS单片集成电路研究
- 2006年
- 介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9 V,功率MOS管极限电压大于80 V,工作电流3 A。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路,以及过频过压保护等功能,采用键合SOI深槽的CMOS/LDMOS工艺制作。
- 石红谭开洲蒲大勇冯建
- 关键词：专用集成电路D/A转换器SOI
- 一种低压差+5V三端电源的研制被引量：3
- 2002年
- 介绍了一种CMOS低压差+5V三端稳压源。在电路设计上,将PMOS管作为调整管,采用带隙基准和NMOS基准两种结构,重点讨论了影响低压差电源的几个因素;在工艺上,采用硅栅自对准CMOS工艺,做出了100mA时压差为0.3V的+5V三端电源。采用NMOS基准的三端稳压源,其静态电流和电源抑制比等参数优于采用带隙基准的三端稳压源。
- 胡永贵蒲大勇崔伟
- 关键词：CMOS稳压电源低压差调整管
- 一种超高速PIN开关驱动器的研究
- 2004年
- 介绍了一种超高速PIN开关驱动器电路的设计。该电路采用高速互补工艺技术(CBIP)制造,具有速度快、功耗低、体积小、工作环境温度范围宽等特点,并且通过改变连接方式,可以很容易地实现四路独立驱动单元输出信号与输入信号同相或反相的功能。该电路广泛应用于数字通讯和相控阵雷达天线系统中。
- 李骏陈伟蒲大勇
- 关键词：超高速相控阵雷达天线系统PIN输入信号输出信号
- 一种内含D/A转换器的铁氧体驱动器的正向设计
- 2004年
- 介绍了一种用于相控阵雷达的低功耗铁氧体驱动器和功率MOS管的电路设计,工作在9V时,其功耗小于18mW。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路。
- 石红蒲大勇
- 关键词：D/A转换器相控阵雷达触发器
- 一种双路移相脉冲驱动器的研制
- 1997年
- 介绍了一种模拟ＡＳＩＣ电路ＳＢ５０３双路移相脉冲驱动器的工作原理、线路设计、版图设计及研制结果。该电路内部设计有峰值比较器、锁存器、输入过频保护及电源低压保护电路、驱动级等功能单元。
- 蒲大勇胡刚毅
- 关键词：模拟集成电路比较器驱动器锁存器
- 一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路
- 2004年
- 介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成。
- 谭开洲石红杨国渝胡刚毅蒲大勇冯健毛儒炎
- 关键词：智能功率集成电路SOICMOSLDMOSVDMOS
