王艳良
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 高一致性的电阻型存储器及其制备方法
- 本发明属于存储器技术领域，具体为一种高一致性的电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括：下电极，其被构图地形成于第一介质层中；第二介质层，形成于下电极和第一介质层上；形成于第二介质层的开口中的边墙，用于覆盖下电极与第...
- 林殷茵王明杨玲明王艳良
- 文献传递
- AlO_x/WO_y阻变存储结构的转换特性和机理研究
- 2014年
- 通过构造AlO_x/WO_y双层结构实现了阻变存储器的均匀性、低功耗等特性,该器件阻变层中的AlO_x为氧空位渐变的梯度膜,从而使得形成的导电细丝更加稳定,在反复擦写过程中导电细丝断开和接上的位置基本不变,对应器件电学性能参数分布集中.采用阶梯脉冲信号结合Verify算法的方法对基于0.18μm CMOS工艺的Al/AlO_x/WO_y/W结构的阻变存储单元进行转换特性、可靠性的测试,统计结果表明:器件电学性能参数R_(on)、R_(off)和_(sct)等具有良好的均匀性,且无需高电压的初始置位过程;复位过程中复位电流小于15μA,远远小于单层器件Reset电流,很好地满足了存储器件的低功耗要求;在小电压长时间作用下,高低阻态仍保持不变,能有效地防止误擦写操作;通过高温烘烤测试,验证了器件的数据保持能力.同时,分析了WO_y薄膜在器件高低阻态转换过程中作为串联电阻降低复位电流的作用.
- 刘易宋雅丽王艳良林殷茵
- 基于铜互连和铝互连标准逻辑工艺的阻变随机存储器可靠性研究
- 当前广泛应用于各类电子元器件系统中的非挥发性(Nonvolatile)数字存储技术——FLASH,在半导体工艺尺寸已经微缩化(Scaling down)到20nm技术带的背景下,即将达到其器件结构本身造成的物理极限,这就...
- 王艳良
- 关键词：非挥发性存储器
