王瑞强
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：广州大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 双量子阱中的子带光吸收(英文)
- 2005年
- 由于微制造技术的不断发展,如液相外延(LPE), 气相外延(VPE),金属有机化学气相沉积(MOCVD)以及分子束外延技术(MBE)等先进的材料生长技术方法也日趋完善,从而使得各种低维半导体量子器件(如半导体、超晶格、量子阱、量子线和量子点等)制造日趋成熟。由于这些低维半导体量子器件具有很强的非线性光效应,而且随着材料、外形、尺寸等的不同,非线性光效应也有很大的差别,更由于其可能存在的广泛的应用前景,所以近年来,一直是人们研究的重点。近来,由于人们相信,利用GaAs/AlGaAs量子阱有可能制造出一些新型的光学仪器,如光开关、光限幅器、光调制器等,所以,对不同势形的GaAs/AlGaAs量子阱的非线性光学特性一直吸引着人们进行理论和实验的研究。而在最近几年,对双量子阱的研究也成为了人们的研究重点。通过密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱中的第一、第三阶子带光吸收表达式,我们将用一个典型的GaAs/AlGaAs双量子阱代入其中进行数值计算,并进行讨论。我们的计算结果显示,阱的光吸收峰不但与中间的势垒宽度有关,更与入射光强有关。
- 邓永晴郭康贤于凤梅俞友宾王瑞强
- 关键词：双量子阱
- 双量子阱中的折射率改变(英文)
- 2005年
- 用量子力学的密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱的光致折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs双量子阱为例,进行数值计算.结果表明,折射率改变不但与入射光强有关,更与阱中的势垒宽度有关.
- 邓永晴郭康贤于凤梅王瑞强
- 关键词：折射率双量子阱
