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王宗巍

作品数:125 被引量:4H指数:1
供职机构:北京大学更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信文化科学化学工程更多>>

文献类型

  • 120篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 39篇自动化与计算...
  • 11篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程

主题

  • 75篇存储器
  • 33篇电路
  • 20篇晶体管
  • 13篇电极
  • 13篇集成电路
  • 13篇半导体
  • 13篇存储器阵列
  • 12篇存储器件
  • 12篇存储阵列
  • 11篇电流
  • 11篇电压
  • 11篇氧化物
  • 11篇神经网
  • 11篇神经网络
  • 11篇网络
  • 11篇超大规模集成
  • 11篇超大规模集成...
  • 11篇衬底
  • 11篇大规模集成电...
  • 9篇底电极

机构

  • 125篇北京大学
  • 2篇北京邮电大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇东南大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇重庆大学
  • 1篇国家自然科学...
  • 1篇松山湖材料实...

作者

  • 125篇王宗巍
  • 121篇蔡一茂
  • 102篇黄如
  • 16篇刘业帆
  • 11篇肖韩
  • 11篇潘越
  • 7篇康健
  • 6篇杨雪
  • 5篇毛俊
  • 5篇黎明
  • 4篇白文亮
  • 4篇杨玉超
  • 3篇王浩然
  • 2篇胡伟
  • 2篇李强
  • 2篇杨帆
  • 2篇王阳元
  • 2篇张耀凯
  • 2篇张腾
  • 2篇殷明慧

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学基金
  • 1篇中国科学:信...

年份

  • 26篇2024
  • 37篇2023
  • 7篇2022
  • 5篇2021
  • 8篇2020
  • 12篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 9篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2014
  • 7篇2013
125 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高一致性的阻变存储器结构及其制备方法
一种阻变存储器结构,依次包括衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜、顶电极;所述阻变存储器结构与主流阻变存储器结构相比,其不同之处在于,在所述的阻变材料薄膜中包含金属离子掺杂浓度高于周围区域的三角形区域,使得器件的阻变行为可...
黄如余牧溪蔡一茂王宗巍刘业帆黎明
文献传递
一种基于双晶体管结构的超快光信号检测方法
本发明公开一种基于双晶体管结构的超快光信号检测方法,属于微纳电子学技术领域。本发明采用感光晶体管和读晶体管,感光晶体管的源端与读取晶体管的栅端相连形成存储节点,用于暂存信号电荷,待检测光脉冲信号到来后,感光晶体管接收光子...
蔡一茂王宗巍鲍霖翟正浩张海粟王翠梅黄善国
一种加权求和存内计算电路及存储器
本发明提供一种加权求和存内计算电路及存储器,其中的电路包括:呈对称分布的第一阵列(阵列A)和第二阵列(阵列B),以及外围电路;其中,当使用第一阵列进行存内计算时,首先把第一阵列和第二阵列通过外围电路断开连接,向第一阵列输...
王宗巍杨韵帆蔡一茂黄如
一种非线性自整流阻变存储器及其制备方法
本发明提供一种非线性自整流阻变存储器,包括衬底和位于衬底上的底电极‑阻变层‑能带修饰层‑顶电极结构。本发明还提供一种非线性自整流阻变存储器的制备方法,包括如下步骤:1)定义底电极图形,按照该图形在衬底上制备底电极;2)采...
蔡一茂王宗巍黄如喻志臻方亦陈余牧溪杨雪
一种基于非线性器件的原位自激活神经网络电路及神经网络运算方法
本发明涉及一种基于非线性器件的原位自激活神经网络电路及神经网络运算方法。该原位自激活神经网络电路包含多层,其中至少一层包含输入模块、IMT‑RRAM阵列和输出模块:所述输入模块,用于将神经网络的该层向量信号的模拟量传递给...
王宗巍蔡一茂鲍盛誉凌尧天喻志臻康健郑琪霖黄如
文献传递
一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法,阻变存储器包括:底电极、阻变材料薄膜和顶电极,底电极在衬底上,阻变材料薄膜有金属掺杂,掺杂的金属同时满足低导热率和高吉布斯自由能。通过离子注入方法在阻变材料薄膜中注入相...
黄如余牧溪蔡一茂王宗巍潘越方亦陈黎明
文献传递
一种氧化物忆阻器及其集成方法
本发明公布了一种氧化物忆阻器及其集成方法,基于当前集成电路制造业标准CMOS后端工艺,通过专门设计的工艺流程来来实现氧化物忆阻器的制备,减小忆阻器对后端工艺的影响,以更好地兼容后端工艺。本发明使得在普通传统CMOS工艺线...
蔡一茂方亦陈王宗巍凌尧天肖韩黄如
文献传递
阻变存储器及其制备方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上,所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极,所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面,所述第一电极和所述第二电极相对设置,所述阻变...
蔡一茂毛俊黄如王宗巍刘业帆余牧溪
文献传递
一种BCH码高效并行编解码方法
本发明提供了一种BCH码高效并行编解码方法,属于存储器和纠错编码领域中的BCH编解码电路实现技术领域。本发明与以往查表法不同的是,对于n位编码字长度、k位数据位、t位纠错能力的(n,k,t)BCH码,本发明只需要存储k个...
蔡一茂周新宇赵铭王宗巍胡伟
一种1TnR存算阵列单元的制备方法
本发明提供一种1TnR存算阵列单元的制备方法,属于半导体(semiconductor)、人工智能(artificial intelligence)和CMOS混合集成电路技术领域。本发明充分利用了MOSFET带来的面积冗余...
王宗巍蔡一茂凌尧天刘毅华鲍盛誉方亦陈肖韩黄如
文献传递
共13页<12345678910>
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