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杨广义

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇原位生长
  • 1篇真空度
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅纳米线
  • 1篇碳纤维
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇硅纳米线
  • 1篇SIC纳米线

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇陈建军
  • 1篇潘颐
  • 1篇杨广义
  • 1篇吴仁兵
  • 1篇吴玲玲
  • 1篇林晶
  • 1篇翟蕊

传媒

  • 1篇中国科协第四...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
真空度对碳纤维原位生长SiC纳米线的影响
在不同的真空度下，采用热蒸发硅碎片的方法，在PAN碳纤维上原位生长了不同形貌的碳化硅纳米线。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)等测试手段分析了产物的相组成，形貌及微结构。X射线衍射图谱...
陈建军林晶潘颐杨广义吴仁兵吴玲玲翟蕊
关键词：碳化硅纳米线真空度碳纤维原位生长
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