李炳生
- 作品数：16 被引量：21H指数：4
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院“百人计划”国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法
- 本发明涉及用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法。在不同衬底上通过高温热氧化氮化锌单晶薄膜获得p-型氧化锌材料，通过控制氧化温度与热氧化时间来控制p-型氧化锌材料的受主杂质浓度。利用高温条件下氧易于替代立方反铁锰矿...
- 刘益春李炳生马剑钢吕有明申德振
- 文献传递
- 铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法
- 本发明涉及用低压金属有机化学气相沉积设备制备铁掺杂的硫化锌单晶薄膜。首先将清洗好的半导体衬底放入生长室内的石墨基座上，控制生长室压力为低压，将高纯氢气通入生长室，调节高频感应电源对石墨基座加热，在600℃下高温处理衬底1...
- 张吉英冯秋菊申德振吕有明范希武李炳生
- 文献传递
- 生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响被引量：6
- 2002年
- 以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 。
- 支壮志李炳生刘益春吕有明申德振张吉英孔祥贵范希武
- 关键词：ZNO薄膜等离子增强化学气相沉积二乙基锌氧化锌薄膜生长温度
- 宽带II-VI族磁性半导体的铁磁特性研究
- 2006年
- 自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁,从而将磁器件与微电子器件联系起来,而半导体自旋电子学是在自旋电子学基础上发展起来的一门新兴学科。近年来,由于磁性半导体的铁磁特性及磁光特性的研究迅速发展,使半导体自旋电子学的研究成为自旋电子学领域的一个重要分支,它着重于以磁性半导体为基本材料的新型电子器件的研究。本文主要介绍宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体铁磁特性的研究进展及一些初步的研究工作。
- 张吉英李炳生申德振吕有明姚彬赵东旭张振中李炳辉范希武
- Fe掺杂对CdS光学特性的影响被引量：4
- 2008年
- 采用低压金属有机化学气相沉积技术，在固定源流量的条件下，通过调节衬底温度（270～360℃）生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小，但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分：2．5eV附近带-带跃迁的发光以及2．0～2．4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加，带-带跃迁逐渐被抑制，发光光谱被缺陷相关的发光主导，同时薄膜的电导也由n型转为p型，说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量，我们将2．0～2．4eV的发光归结为铁受主相关的D—A对发射，并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。
- 武晓杰张吉英张振中申德振刘可为李炳辉吕有明李炳生赵东旭姚斌范希武
- 用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌薄膜和纳米柱的方法
- 本发明涉及采用电化学沉积生长方法在导电衬底上生长有锰掺杂的氧化锌稀磁半导体薄膜和纳米柱。沉积前，首先对导电衬底进行清洗后作为工作电极；然后采用溶质为ZnCl<Sub>2</Sub>、Mn(CH<Sub>3</Sub>CO...
- 曹萍赵东旭张吉英吕有明范希武申德振李炳生
- 文献传递
- 用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法
- 本发明涉及用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法。在不同衬底上通过高温热氧化氮化锌单晶薄膜获得p－型氧化锌材料，通过控制氧化温度与热氧化时间来控制p－型氧化锌材料的受主杂质浓度。利用高温条件下氧易于替代立方反铁锰矿...
- 刘益春李炳生马剑钢吕有明申德振
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- 用锌金属有机源和二氧化碳等离子体增强化学气相沉积的方法制备高质量氧化锌薄膜被引量：7
- 2000年
- 报道了用金属锌有机源和二氧化碳混合气源等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)的方法成功地制备高质量择优取向 (0 0 0 2 )的ZnO薄膜。通过X ray衍射谱进行了结构分析得到六方结构 ,择优取向 ,晶粒尺寸大约在 2 2 0nm。并通过原子力显微镜分析更进一步验证了晶粒的尺寸。通过透射谱分析观察到了典型的激子吸收线。这种方法的特点是可以在低温条件下在任何衬底上生长大面积均匀性好。
- 楚振生李炳生刘益春申德振范希武刘毅南
- 关键词：氧化锌等离子体增强化学气相沉积
- 铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法
- 本发明涉及用低压金属有机化学气相沉积设备制备铁掺杂的硫化锌单晶薄膜。首先将清洗好的半导体衬底放入生长室内的石墨基座上，控制生长室压力为低压，将高纯氢气通入生长室，调节高频感应电源对石墨基座加热，在600℃下高温处理衬底1...
- 张吉英冯秋菊申德振吕有明范希武李炳生
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- 用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌纳米柱的方法
- 本发明涉及采用电化学沉积生长方法在导电衬底上生长有锰掺杂的氧化锌稀磁半导体纳米柱。沉积前，首先对导电衬底进行清洗后作为工作电极；然后采用溶质为ZnCl<Sub>2</Sub>、Mn(CH<Sub>3</Sub>COO)<...
- 曹萍赵东旭张吉英吕有明范希武申德振李炳生
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