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徐静涛

作品数:26 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
相关领域:理学金属学及工艺经济管理电子电信更多>>

文献类型

  • 16篇专利
  • 8篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇经济管理
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇热电性能
  • 9篇热电材料
  • 8篇碲化镉
  • 7篇晶体
  • 5篇多晶
  • 5篇热电
  • 4篇热导率
  • 4篇热压
  • 3篇晶体生长
  • 3篇高热导率
  • 3篇TE
  • 2篇单晶
  • 2篇单质
  • 2篇电阻率
  • 2篇性能表征
  • 2篇元器件
  • 2篇再结晶
  • 2篇织构
  • 2篇致密
  • 2篇致密度

机构

  • 26篇中国科学院宁...
  • 1篇河海大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇上海电机学院
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 26篇徐静涛
  • 26篇蒋俊
  • 19篇江浩川
  • 12篇胡皓阳
  • 8篇刘柱
  • 6篇金敏
  • 6篇何军
  • 4篇肖昱琨
  • 4篇刘永福
  • 2篇李志祥
  • 2篇杨胜辉
  • 2篇许高杰
  • 2篇秦海明

传媒

  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇应用技术学报

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 8篇2015
  • 2篇2013
26 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种碲化铋基热电材料及其制备方法
本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法。本申请的碲化铋基热电材料,包括具有式Ⅰ所示化学式的化合物中至少一种,其中,M选自Ge、Mn、Cu中的至少一种;x的取值范围为:0.001≤x≤0.2;z的取值范围为:0.1≤...
端思晨徐静涛杨昕昕蒋俊
文献传递
一种制备SnSe晶体的方法
本申请提供了一种制备SnSe晶体的方法,其特征在于,将含有SnSe多晶的原料置于斜体生长炉中的容器中生长得到;所述斜体生长炉的炉体轴向与水平方向的夹角为15~30°。该方法通过采用斜体生长有效减少了晶体与容器的接触面积,...
金敏蒋俊胡皓阳邵和助徐静涛江浩川
文献传递
一种SnSe基热电材料取向多晶的制备方法
本发明公开了一种SnSe基热电材料取向多晶的制备方法,将熔炼法与多次热压法相结合,首先将配制好的原料熔炼、铸锭,然后将铸锭球磨得到粉体,再将粉体热压得到块体,最后将块体进行多次热压,该方法简单易行,成本低廉。多次热压在塑...
梁少军徐静涛蒋俊刘永福乐松江浩川
一种碲化铋基热电材料及其制备方法
本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法。本申请的碲化铋基热电材料,包括具有式Ⅰ所示化学式的化合物中至少一种,其中,M选自Ge、Mn、Cu中的至少一种;x的取值范围为:0.001≤x≤0.2;z的取值范围为:0.1≤...
端思晨徐静涛杨昕昕蒋俊
退火对移动加热法生长的CdTe单晶性能影响
CdTe系列半导体化合物,是一种新型的x和γ射线探测材料,被广泛的应用于医学成像、空间探测、核安全检查等领域。垂直布里奇曼法具有设备简单,操作方面和生长速度快等优点,成为CdTe系列晶体制备最常见的方法之一。但由于CdT...
胡皓阳徐静涛刘柱何军蒋俊江浩川
关键词:碲化镉退火性能表征
文献传递
SnTe能带调控对热电性能影响研究
徐静涛谈小建刘国强邵和助蒋俊
一种Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>6</Sub>晶体生长方法
本申请提供了一种Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>6</Sub>晶体生长方法,采用溶体生长法,将Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>6</Sub>籽晶与Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>...
金敏蒋俊胡皓阳邵和助徐静涛江浩川
一种多晶SnSe基热电材料的制备方法
本发明提供一种多晶SnSe基热电材料的制备方法。该方法通过熔炼制备SnSe基多晶铸锭,在铸锭球磨过程中加入Te、Se、Pb、Br、Sn、Sb、Bi中的一种或者几种作为烧结助剂,得到粉体,将粉体热压烧结为块体。该方法能够促...
张家华徐静涛蒋俊乐松江浩川
文献传递
熔体流动形态对移动加热法生长碲化镉系列晶体的影响
碲化镉及其系列半导体具有高的平均原子序数、宽禁带宽度、大的密度和高电阻率等特点,是下一代室温型半导体射线探测器的理想材料之一。但是碲化镉还具有熔点高,导热系数小,熔体对流小等不利于晶体生长的缺陷。
刘柱徐静涛胡皓阳何军江浩川蒋俊
关键词:碲化镉
Te自助熔剂定向凝固法生长CdTe晶体被引量:1
2020年
碲化镉(CdTe)晶体是一种制造室温X射线和γ射线探测器最为理想的半导体材料,在医学、食品、安检、核废料监测等应用领域前景广阔。采用一种Te自助溶剂定向凝固技术生长CdTe晶体,在区熔温场及坩埚旋转系统的综合作用下,获得了平坦状的理想固液界面形貌。生长25 mm的CdTe晶体横截面单晶区域面积可达70%,从56 mm的CdTe晶体中可截取尺寸达15 mm×15 mm×3 mm的单晶,电学测试表明CdTe晶体在未掺杂改性条件下电阻率达108Ω·cm。红外透射显示,CdTe晶体中包含尺寸范围为1~20μm的Te夹杂,这是CdTe单晶生长过程中出现的主要微观缺陷。该工作取得的相关成果对未来CdTe晶体生长技术发展具有一定参考价值和借鉴意义。
金敏胡皓阳胡皓阳刘柱徐静涛江浩川
关键词:固液界面
共3页<123>
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