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张金灿

作品数：15 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电路
  • 6篇晶体管
  • 5篇异质结
  • 5篇分频
  • 5篇分频器
  • 5篇GAAS_H...
  • 4篇D触发器
  • 4篇参数提取方法
  • 4篇触发器
  • 3篇等效
  • 3篇等效电路
  • 3篇噪声
  • 3篇锁存
  • 3篇锁存器
  • 3篇相位
  • 3篇相位噪声
  • 3篇小信号
  • 3篇小信号模型
  • 3篇HBT
  • 3篇HBT器件

机构

  • 15篇西安电子科技...

作者

  • 15篇张金灿
  • 13篇吕红亮
  • 13篇张玉明
  • 10篇张义门
  • 5篇项萍
  • 5篇杨实
  • 3篇许俊瑞
  • 3篇周威
  • 3篇刘一峰
  • 2篇刘敏
  • 2篇张玉娟
  • 2篇张晓鹏
  • 2篇魏志超
  • 1篇宁旭斌

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇2013年全...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 7篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于GaAs HBT工艺16GHz静态分频器
提出了一款基于GaAs HBT工艺的16-GHz静态分频器.分频器的核心是D触发器,在兼顾功率的同时,通过对D触发器的负载电阻和电流进行细致的调整和增加感性负载,提高了分频器的工作频率.后仿真结果显示了最高分频频率达16...
刘一峰吕红亮张玉明张义门肖广兴张金灿
关键词：静态分频器电路设计D触发器
基于SDD模型测试GaAs HBT抗辐照性能的方法
本发明公开了一种基于SDD模型测试GaAs HBT抗辐照性能的方法，主要解决现有方法实验复杂，难度大，耗时长，不具有普遍性的问题。其实现步骤为：1）用ADS软件分析电路，确定器件的敏感参数；2）选择实验样品进行辐照前器件...
吕红亮魏志超张金灿张玉明张义门刘敏
文献传递
基于晶体管的高速D触发器
本发明公开了一种基于晶体管器件的高速D触发器，主要解决现有D触发器相位噪声高和工作频率低的问题。其主要由第一锁存器（1）、第二锁存器（2）、预置电路（3）、第一电流源电路（4a）和第二电流源电路（4b）组成。由差分电路构...
吕红亮刘一峰张金灿张义门张玉明周威
文献传递
基于HBT器件的可预置D触发器
本发明公开了一种基于HBT器件的可预置D触发器，主要解决现有技术工作速度慢、相位噪声高和工作频率低的问题。它包括第一锁存器(1)、第二锁存器(2)、预置电路(3)和选择电路(4)。第二锁存器的差分输出与预置电路连接，该预...
张玉明项萍吕红亮张玉娟杨实张金灿
双极型晶体管参数提取方法及其等效电路
本发明公开了一种双极型晶体管参数提取方法及其等效电路。该方法先对双极型晶体管进行直流测试和S参数测试，然后应用ADS软件和origin软件进行曲线拟合，得到双极型晶体管的参数。基于双极型晶体管参数提取方法所建立的等效电路...
吕红亮杨实张玉明张义门张金灿许俊瑞项萍张晓鹏
InP HBT小信号模型的参数提取方法
本发明公开了一种InP HBT小信号模型的参数提取方法，主要解决现有技术的提取过程繁杂、提取结果不够精确的问题。其技术方案是，采用开路焊点结构和短路焊点结构，对等效电路分析，进行寄生参数的提取；采用集电极开路状态，对等效...
吕红亮周威张金灿张玉明张义门刘一峰
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基于GaAs HBT器件的超高速8/9双模预分频器
本发明公开了一种基于GaAs HBT器件的超高速8/9双模预分频器，主要解决现有技术工作频率低、相位噪声高的问题。它包括一个2/3双模分频器、一个异步除4分频器、一个模式选择逻辑电路。2/3双模分频器由两个嵌入与非门的D...
吕红亮项萍张玉明张金灿杨实
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一种用于InP基HBT器件的SDD模型
采用一个七端口的符号定义器件SDD技术建立了一个InP HBT的大信号模型.此模型考虑了InP HBT的自热效应、准饱和效应等非理想效应.该模型的直流模型是基于VBIC模型的,电荷模型是基于Agilent模型的.模型内嵌...
张金灿张玉明吕红亮张义门刘敏
关键词：大信号模型
基于HBT器件的可预置D触发器
本发明公开了一种基于HBT器件的可预置D触发器，主要解决现有技术工作速度慢、相位噪声高和工作频率低的问题。它包括第一锁存器(1)、第二锁存器(2)、预置电路(3)和选择电路(4)。第二锁存器的差分输出与预置电路连接，该预...
张玉明项萍吕红亮张玉娟杨实张金灿
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测试γ辐照后GaAs HBT器件性能的方法
本发明公开了一种测试γ辐照后GaAs HBT器件性能的方法，主要解决现有方法的实验复杂，难度大，耗时长，不具有普遍性的问题。其实现步骤为：1）用ADS软件分析电路，确定器件的敏感参数；2）辐照前器件测试；3）对器件进行辐...
吕红亮魏志超张金灿张玉明张义门刘敏
文献传递
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