张希威
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 一种金属辅助硅纳米线阵列大面积分层刻蚀和转移方法
- 本发明在于公开了一种金属辅助硅纳米线阵列大面积分层刻蚀和转移方法，将经过一次湿法刻蚀后的Si片在空气中加热处理，使硅纳米线阵列底部的Ag纳米颗粒催化剂部分熔化，并有部分Ag纳米颗粒黏附在硅纳米线阵列的侧壁上，再次刻蚀的过...
- 揭建胜王艳张晓珍张希威卞良吴艺明
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- 基于硅与二硫化钼异质结的高性能可见光到近红外光电探测器
- 类石墨烯材料二硫化钼是一种新型的二维原子材料。它不但具有石墨烯的一些优异性质,而且具有带隙(约1.3~1.8 eV),可用做光伏、光电探测等领域。[1]目前用于研究的二硫化钼薄膜大多是采用剥离或化学气相合成方法制备的,具...
- 王柳张希威邵智斌揭建胜
- 关键词：二硫化钼硅光电探测器
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- p-型硒化锌纳米线的合成及其纳米光电子器件应用
- 由于准-维纳米结构有很大的比表面积,表面效应对其自身的电学、机械以及化学特性产生很大的影响,有研究发现由于表面吸附效应,碳纳米管具有负的光电导效应,即加光照电导降低,关闭光照后又重新恢复。这种由于表面效应引起的现象将会在...
- 张希威
- 关键词：光电子器件热蒸发法
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- 利用化学气相沉积原位掺杂制备p型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法
- 本发明公开了一种利用化学气相沉积原位掺杂制备p型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法，包括蒸发、冷却和退火，首先将纯度≥99.9％的IIB-VIA族材料置于水平管式炉的中部，将纯度≥99.9％的VA族掺杂元素置于水...
- 揭建胜张希威彭强王莉于永强吴春艳朱志峰
- 基于p-型硒化锌纳米结构的p-n结构筑及其光电子器件研究
- 作为II-VI族半导体中的重要一员,宽禁带的ZnSe具有优良的光电性能,并且已经成功的被应用于各类光电子器件。针对ZnSe纳米材料的研究应用近年来也在如火如荼的开展,主要包括各种ZnSe纳米结构的控制合成和在光电子器件方...
- 张希威
- 关键词：光电子器件硒化锌纳米材料
- 利用化学气相沉积原位掺杂制备p型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法
- 本发明公开了一种利用化学气相沉积原位掺杂制备p型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法，包括蒸发、冷却和退火，首先将纯度≥99.9％的IIB-VIA族材料置于水平管式炉的中部，将纯度≥99.9％的VA族掺杂元素置于水...
- 揭建胜张希威彭强王莉于永强吴春艳朱志峰
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- 一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法
- 本发明公开了一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法，包括以下步骤：采用电子束沉积工艺在洁净的硅或氧化硅衬底上蒸镀金纳米颗粒薄膜，利用修饰金纳米颗粒的衬底为生长基底，采用物理气相沉积法制备有机单晶纳米线阵列。采用本发明技术方...
- 揭建胜吴艺明张希威张玉萍张晓珍卞良
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- 一种核壳型有机/硫化镉纳米线异质结阵列的制备方法
- 本发明公开了一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管的制备方法，利用物理气相沉积法生长单晶有机纳米线阵列，并以此高密度的有机纳米线阵列为模板，运用原子层沉积(ALD)技术在纳米线表层包裹生长硫化镉（CdS）壳...
- 揭建胜吴艺明张希威张玉萍张晓珍卞良
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