您的位置： 专家智库 > >

张克迪

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：电子科技大学物理电子学院更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇散射
  • 1篇散射机制
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇光电
  • 1篇光电导开关
  • 1篇GAAS光电...

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇张达
  • 1篇孙庆玲
  • 1篇杨宏春
  • 1篇张鹏程
  • 1篇张克迪
  • 1篇阮成礼

传媒

  • 1篇科学通报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
线性GaAs光电导开关的饱和参数研究被引量：6
2008年
通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响,给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律;考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束,给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度;结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律,以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律,给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数,在实验误差范围内,理论计算结果与实验测试结果较好吻合.
杨宏春阮成礼孙庆玲张克迪张鹏程张达
关键词：散射机制电导率迁移率
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0