孙立伟
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs器件结构
- 本发明公开的一种双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs器件结构，包括顶栅的两边设置有Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>侧墙，Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>侧墙的一边设置有源...
- 高勇孙立伟杨媛刘静
- 文献传递
- 双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs器件结构
- 本发明公开的一种双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs器件结构，包括顶栅的两边设置有Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>侧墙，Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>侧墙的一边设置有源...
- 高勇孙立伟杨媛刘静
- 文献传递
- 双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析被引量：3
- 2008年
- 提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS提高了43%,pMOS提高了67%;工作在双栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)与体Si沟道相比较,驱动电流的提高nMOS为31%,pMOS为60%.仿真结果表明,双栅模式比单栅模式有更为陡直的亚阈值斜率,更高的跨导以及更强的抑制短沟道效应的能力.综合国内外相关报道,该结构可以在现今工艺条件下实现.
- 高勇孙立伟杨媛刘静
- 关键词：双栅短沟道效应
- 双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析
- 2008年
- 在提出双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式下,传统应变SiGe(或应变Si)器件的CMOS电路只能实现上升(或下降)时间的改善,而基于新结构的CMOS电路能同时实现上升和下降时间的缩短;双栅模式下,CMOS电路的上升和下降时间较单栅模式有了更进一步的改善,电路性能得以显著提高.
- 孙立伟高勇杨媛刘静
- 关键词：双栅CMOS
- 超深亚微米SiGe SOI MOSFETs的特性研究
- 应变Si//SiGe技术以其高载流子迁移率等优异特性受到广泛关注,但当前报道的应变沟道器件仍存在一些问题亟待解决,主要归结为以下几点:
/(1/)制备应变沟道NMOS和PMOS分别要应用不同的应变材料,两者制备...
- 孙立伟
- 关键词：双栅瞬态特性
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