夏德勇 作品数:7 被引量:1 H指数:1 供职机构: 哈尔滨师范大学 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 更多>>
热死佯谬的一种数学证明 1994年 由热力学二定律导致的宇宙热寂说,曾一度给西方世界带来过极大的恐慌,以为宇宙终将由热寂而消亡.后来不断有人试图去证明宇宙热死只是一种科学上的佯谬,不是真的.但到目前为止,能够给出究整理论证明的教科书和刊物很少,全部的热力学书中都给以笼统说明,指出这是一种佯谬,或完全回避,本文试图用最简便的方法,从宇宙学的角度给出一种数学证明,以使广大物理学工作者对此有更深刻的认识. 段恒勇 夏德勇关键词:热力学 化学势与粒子空间相关性 1994年 把化学势定义为系统中粒子间相互作用势阱的平均深度。当系统粒子间的相互作用吸引占优势时,化学势为负,否则为正。气体粒子的化学势与温度T、粒子密度n的关系,可用维里展开表达。玻色气体相当于具有吸引势的经典实在气体,而费米气体相当于具有排斥势的经典实在气体。这种相当的“互作用势”不是源于动力学,而是源于统计相关性,是量子全同粒子对称性要求的结果。在力场中处与平衡的自由粒子系统从位置1到位置2粒子势能的变化必须由位置1到位置2粒子浓度的变化来补偿。 张晓晔 夏德勇关键词:化学势 势阱 半导体致冷取向晶体的制备方法及设备 一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备,特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理,从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀,提高了晶体结合能,使晶体点阵常数比无磁场时变小,能带结构发生变化,材料优值和... 赵秀平 李将录 荣剑英 赵洪安 董兴才 夏德勇文献传递 半导体致冷取向晶体的制备方法及设备 一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备,特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理,从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀,提高了晶体结合能,使晶体点阵常数比无磁场时变小,能带结构发生变化,材料优值和... 赵秀平 李将录 荣剑英 赵洪安 董兴才 夏德勇掺碳n型赝三元温差电材料性能改善的机理研究 1994年 本文从n型赝三元温差电材料碳掺杂后加工性能明显改善的事实出发,根据X射线衍射和电子能谱等测定的实验结果,指出了掺入材料中的碳原子富集在片层微晶的间界;讨论了碳原子的电行为;阐明了掺碳材料性能改善的机理。 高瑞堂 马永轩 夏德勇 苏润洲关键词:晶体 二维立方映象的分形流域边界 被引量:1 1991年 本文研究了一个二维立方映象的分形流域边界的结构和性质,利用函数分析法研究了流域边界的解析性质,计算了Lyapunov指数并与数值计算结果进行了比较。 吕树臣 夏德勇关键词:分形 LYAPUNOV指数 爱因斯坦分布公式与常见系综分布函数 1992年 通过简化考虑,建立起系统处于某状态(用一组广延参数x_1,x_2,…,x_s,简记{x_i},表征)的几率分布P({x_i})=1/Zexp(-sum from iλ_ix_i/k),即爱因斯坦分布公式(或称广义系综分布函数),其中λ_i=(■)x_i=0是贮库A_R的量(图1),系统所处的宏观条件就是给定了λ_i(i=1,2,…,s)。Z=sum from {x_i}exp(-sum from iλ_ix_i/k)为系统广义配分函数。当(i)x_1=E_s,λ_1=1/T,(ii)x_1=E_s,λ_1=1/T,x_2=N,λ_2=μ/T,(iii),x_1=E_s,λ_1=1/T,x_2=V,λ_2=P/T,时,分别得到正则、巨正则和T—P分布函数。 夏德勇关键词:系综 热力学