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傅力

作品数:3 被引量:4H指数:1
供职机构:武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室更多>>
发文基金:国际科技合作与交流专项项目湖北省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:化学工程金属学及工艺理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇热压
  • 3篇热压烧结
  • 2篇电性能
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电性
  • 2篇铁电性能
  • 2篇固相
  • 2篇固相反应
  • 2篇BI4TI3...
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷靶材
  • 1篇陶瓷结构
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇铁电陶瓷
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸铋
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇靶材
  • 1篇HO

机构

  • 3篇武汉理工大学

作者

  • 3篇傅力
  • 2篇王传彬
  • 2篇张联盟
  • 2篇沈强
  • 1篇黄攀

传媒

  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Ho掺杂对Bi_(4-x)Ho_xTi_3O_(12)陶瓷结构与铁电性能的影响被引量:1
2012年
以Ho为掺杂元素,采用热压烧结方法制备Bi4-xHoxTi3O12陶瓷,重点研究了Ho掺杂量对其物相组成、致密度、微观结构和铁电性能的影响.首先以Bi2O3、TiO2和Ho2O3微粉为原料,利用固相反应在900℃合成出主晶相为Bi4Ti3O12的Bi4-xHoxTi3O12(x=0~0.8)粉体;然后,将合成粉体在850℃、30 MPa条件下热压烧结,当Ho掺杂量x=0~0.4得到了物相单一、整体致密(>99%)的Bi4-xHoxTi3O12陶瓷.随Ho掺杂量的增加,Bi4-xHoxTi3O12陶瓷的剩余极化强度呈现先增大后减小的趋势,主要与氧空位浓度和不同掺杂浓度引起的掺杂位置的不同有关.在Ho掺杂量x=0.4时,其剩余极化强度最大(2Pr=13.92μC/cm2),远大于未掺杂的Bi4Ti3O12陶瓷,说明适量Ho掺杂能有效改善其铁电性能.
王传彬傅力沈强张联盟
关键词:固相反应热压烧结铁电性能
钛酸铋陶瓷靶材的热压烧结被引量:3
2010年
纯相、高致密度、结晶良好的陶瓷靶材是物理气相沉积薄膜的前提。采用热压烧结方法制备钛酸铋(Bi4Ti3O12)陶瓷靶材,重点研究了制备工艺对靶材的物相、微观结构和致密度的影响。以Bi2O3和TiO2微粉为原料,采用固相反应法,在800℃合成出纯相的Bi4Ti3O12粉体;加入过量3wt%的Bi2O3,可以有效防止烧结过程中因Bi挥发所产生的杂相,得到纯相的Bi4Ti3O12陶瓷;采用热压烧结方法,进一步实现了Bi4Ti3O12粉体的致密烧结,确定了适宜的制备条件为850℃,30MPa,2h,在该条件下制备的Bi4Ti3O12陶瓷致密度达到99%,晶粒呈片层状,大小约2~4μm,可满足靶材制备薄膜的需求。
傅力王传彬黄攀沈强张联盟
关键词:BI4TI3O12陶瓷靶材热压烧结
Bi<,3.6>Ho<,0.4>Ti<,3>O<,12>薄膜的脉冲激光沉积及其铁电性能
稀土元素掺杂的Bi4Ti3O12铁电薄膜作为一种无铅环保、性能优良的功能材料,可望替代锆钛酸铅(PZT)和钽酸锶铋(SBT)等薄膜材料,在铁电随机存储器等功能器件中得以应用。论文以Ho掺杂Bi4Ti3O12(Bi3.6H...
傅力
关键词:铁电薄膜固相反应热压烧结脉冲激光沉积铁电性能
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共1页<1>
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