丁雷
- 作品数：13 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防基础科研计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 退火对Ta/AlOx/NiFe/AlOx/Ta超薄薄膜性能影响的研究
- 采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将2nm厚的AlO层插入Ta/NiFe/ Ta薄膜的Ta/NiFe与NiFe/Ta界面,研究退火对超薄NiFe薄膜性能的影响。传统的Ta/NiFe/Ta超薄薄膜...
- 丁雷王乐滕蛟于广华
- 文献传递
- 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法
- 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高...
- 于广华丁雷滕蛟李明华冯春
- 表面活性剂Bi对自旋阀多层膜交换耦合场的影响及其微结构分析
- 2008年
- 采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度的Bi原子能够有效地提高交换耦合场,沉积过量的Bi原子会导致交换耦合场下降.X射线光电子能谱分析结果表明:沉积在Cu/NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe层表面的偏聚;当沉积过量的Bi原子时,Bi原子会进一步迁移到FeMn中,形成杂质,从而破坏了FeMn的反铁磁性,使交换耦合场降低.
- 杜中美蔡永香丁雷朱熠李明华滕蛟于广华
- 关键词：表面活性剂X射线光电子能谱
- 纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能的影响被引量：4
- 2007年
- 采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响。实验结果表明:将CoFe-NOL引入NiFe薄膜,CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响,并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时,由于破坏了NiFe薄膜的织构,导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升;CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时,则不会破坏NiFe薄膜的织构,其AMR值和矫顽力基本没有变化。将Al2O3插层引入NiFe薄膜,由于Al2O3插层的"镜面反射"作用,合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构,提高薄膜的磁电阻值,改善薄膜的磁性能。当Al2O3插层厚度为1.5 nm时,NiFe薄膜有最佳的微结构和性能。
- 王东伟丁雷王乐滕蛟于广华
- 关键词：各向异性磁电阻
- 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法
- 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高...
- 于广华丁雷滕蛟李明华冯春
- 文献传递
- 一种提高铱锰自旋阀热稳定性的方法
- 一种提高铱锰自旋阀热稳定性的方法，涉及自旋阀巨磁电阻多层膜的制备。本方法是通过磁控溅射，在清洗干净的单晶硅基片上依次沉积Ta(50～60)、NiFe(20～30)、Ir(Pt)Mn(60～70)、CoFe(35～4...
- 李明华于广华滕蛟丁雷
- 文献传递
- 退火对Ta/AlOx/NiFe/AlOx/Ta超薄薄膜性能影响的研究
- 本文采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将2nm厚的AlOx层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe与NiFe/Ta界面,研究了退火对超薄NiFe薄膜性能的影响。传统的Ta/NiFe/Ta超...
- 丁雷王乐滕蛟于广华
- 关键词：超薄薄膜磁控溅射
- 文献传递
- 不同缓冲层对Ni_(81)Fe_(19)薄膜性能影响和微结构分析
- 2012年
- 采用磁控溅射方法制备分别以Ta和NiFeCr为缓冲层的Ta(NiFeCr)/NiFe/Ta薄膜材料.对于相同厚度的NiFe薄膜,与传统材料Ta相比,用NiFeCr作缓冲层薄膜的各向异性磁电阻有显著的提高.X射线衍射结果表明,与Ta缓冲层相比NiFeCr缓冲层可以诱导更强的NiFe(111)织构.高分辨透射电子显微镜结果表明,NiFeCr缓冲层和NiFe层的晶格匹配非常好,NiFe沿着NiFeCr外延生长,以NiFeCr为缓冲层的NiFe薄膜具有良好的晶体结构.对薄膜进行热处理,以NiFeCr缓冲层为缓冲薄膜的各向异性磁电阻值在350℃以下基本保持不变,当退火温度超过350℃后,其值会明显下降.以NiFeCr缓冲层的薄膜在350℃以下退火具有良好的热稳定性.
- 李明华李伟丁雷刘洋滕蛟
- 关键词：坡莫合金缓冲层磁致电阻微观结构磁控溅射
- 一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料
- 本发明提供了一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料，Ta/NiCo/Ta多层膜中插入FeMn层制得Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜材料，磁电阻传感器元件由Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜结构元件和Au电极...
- 于广华张辉丁雷王乐滕蛟王立锦
- 文献传递
- 一种降低自旋阀薄膜矫顽力的方法
- 本发明提供了一种利用二次退火降低自旋阀薄膜矫顽力的方法，属于信息电子、功能材料领域。在磁控溅射仪中制备自旋阀薄膜，在真空退火炉中进行退火。其特征在于：采用两次退火，退火顺序依次为在1000～3000Oe磁场下，在100～...
- 丁雷滕蛟于广华
- 文献传递
