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丁娟

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:汕头大学理学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇磁电
  • 2篇磁电阻
  • 1篇多孔硅
  • 1篇形状记忆
  • 1篇形状记忆合金
  • 1篇输运
  • 1篇输运行为
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇热法
  • 1篇相变
  • 1篇马氏体
  • 1篇马氏体相
  • 1篇马氏体相变
  • 1篇纳米硅
  • 1篇记忆合金
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇合金
  • 1篇发光

机构

  • 3篇汕头大学
  • 1篇浙江师范大学

作者

  • 3篇丁娟
  • 2篇赵韦人
  • 1篇於元炯
  • 1篇陈绍军
  • 1篇符史流
  • 1篇陈景东

传媒

  • 1篇金属功能材料
  • 1篇汕头大学学报...

年份

  • 3篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Ni-Mn-Ga薄膜的输运行为
磁性形状记忆合金是一类新型形状记忆材料,不但具有传统形状记忆合金的受温度场控制的热弹性形状记忆效应,而且还具有受磁场控制的磁性形状记忆效应。Ni-Mn-Ga合金作为一种新型的磁性形状记忆合金,近几年倍受人们的关注。它不仅...
丁娟
关键词:磁性形状记忆合金磁电阻输运行为
文献传递
Ni_(52)Mn_(26)Ga_(22)薄膜的马氏体相变和磁电阻被引量:1
2006年
用电子束蒸发方法制备了多晶NiMnGa薄膜。用Ni52Mn26Ga22合金作靶材,衬底为<111>取向的单晶硅抛光面。沉积时衬底温度为773K。电子束蒸发在本底真空3×10-3Pa中进行。X射线衍射图谱表明薄膜在室温下为奥氏体相。电阻随温度的变化关系表明薄膜的马氏体相变开始温度约在256K,且相变滞后较小。在室温下的奥氏体具有正的磁电阻效应,在1T磁场下磁电阻为0.06%。马氏体的磁电阻很小,这种差异来源于电子结构的不同。
丁娟赵韦人符史流於元炯
关键词:马氏体相变磁电阻
Fe(NO_3)_3浓度对水热法腐蚀多孔硅的影响
2006年
用水热腐蚀法,通过改变腐蚀液中Fe(NO3)3的浓度,制备多孔硅样品.用扫描电子显微镜、荧光分光光度计和傅立叶红外光谱仪对样品微结构和光学特性进行检测,并结合Islam-Kumar模型对检测结果进行分析.结果表明,增大腐蚀液中Fe(NO3)3浓度,可加快腐蚀速度,并使多孔硅中纳米硅尺寸减小,比表面积增大,从而引起样品发射峰发生蓝移,且对应于Si‖O键的红外吸收增强.
赵韦人陈景东丁娟陈绍军
关键词:多孔硅纳米硅光致发光
共1页<1>
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