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二氧化硅基质中包埋硅纳米晶薄膜的光学性质研究被引量：1: 2006年; 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,在不同的SiH4和CO2气体流量比率(GFRRSC)下,制备了基质中包埋硅纳米晶的二氧化硅薄膜。微区拉曼光谱计算结果表明,随着GFRRSC降低,硅晶粒平均尺寸逐渐减小。吸收光谱的计算结果表明,由量子限制效应所致光学带隙随着GFRRSC降低而逐渐展宽。在1.4 eV^2.4 eV能量区间发现多个发光峰。在低温下(80 K)观测到声子参与的发射光谱,表明在1.7 eV附近的发光峰源于Si-O振动模式参与的Si-SiO2界面的跃迁。; 支壮志祁阳杨华哲魏葳; 关键词：光致发光 PECVD 拉曼光谱分析声子

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魏葳