颜一凡
- 作品数：13 被引量：9H指数：2
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院基础物理系更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 传统 PECVD高品质氢化非晶硅的淀积率被引量：3
- 2004年
- 根据 Winer模型 ,联合 Winer模型和 Street的氢化学势理论 ,分别研究了传统 PECVD( CPECVD)高品质氢化非晶硅 ( HQ a-Si:H)的淀积率上限 rdup和淀积率 rd 与 a-Si:H缺陷密度 ND 的关系。得到的结论是 :( 1 )rdup=1 .6nm/s(目前实验上 rd 已接近 1 .0 nm/s)。( 2 )对每一优化淀积温度 ( Ts=2 0 0～ 30 0°C) ,存在一相应的优化淀积率 rdop,当 rd
- 颜一凡
- 关键词：非晶硅
- a-Si∶H磷掺杂机理
- 1999年
- Ｓｔｒｅｅｔ的自动补偿模型不是ａＳｉ∶Ｈ中磷掺杂的唯一机理，它略去了带尾态电子密度ｎＢＴ，实际上相当于略去了其他掺杂机理对掺杂的贡献。Ｗｉｎｅｒｅｔａｌ的磷杂质结合模型，可以推广到ｎＢＴ≠０情形，其反应常数仍满足Ｈｅｎｒｙ定律。磷掺杂固相效率和磷结合系数可以同时表示成磷气相浓度的明显的解析函数，其计算结果与实验曲线及其外推均相一致。
- 颜一凡
- 关键词：非晶硅
- 氢化非晶硅双极性场效应晶体管被引量：2
- 1990年
- 本文着重研究了玻璃栅介质(GGI)氢化非晶硅双极性场效应晶体管(α-Si:HBFET)的转移特性,并比较了SiO_2和SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET的性质.业已发现:(1)硼掺杂和磷掺杂不仅可以人大地提高(GGI)α-Si:HBFET的电流驱动能力,而且可以大大地改善其双极对称性.(2)(GGI)未掺杂α-Si:HBFET可以用来构成静态特性良好的CMOS倒相器.(3)SiO_2栅介质α-Si:HFET具有典型的双极性,但是SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET则不是双极性的.
- 颜一凡刘正元何丰如
- 关键词：氢化非晶硅场效应晶体管双极性
- 传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配被引量：1
- 2001年
- 等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1
- 颜一凡
- 关键词：氢化非晶硅
- α－Si：H磷掺杂固相效率和相关分配系数
- 1996年
- 证明了分配系数ｄ是气相浓度Ｘｐ（ｇ）的解析函数，其系数由α－Ｓｉ：Ｈ生长期间界面上固／气相平衡反应常数决定。ｄ这种性质导致磷掺杂固相效率可藉助Ｘｐ（ｇ）进行解析计算。
- 颜一凡
- 关键词：非晶硅
- 非晶硅磷掺杂固相效率的计算
- 1992年
- 本文介绍一种计算高质量GDa-Si磷掺杂固相效率η(S)的方法。所得的结果是:当掺杂剂气相浓度C(g)等于固相浓度C(S)时,对于C(g)<10^(-4),η(S)是常数,其值为20％,即a-Si薄膜中四配位磷原子密度N(P_4^+)与三配位磷原子密度N(P_3~0)之比是1/4;对于C(g)>10^(-4),、η(S)服从Street定律,其值为10^(-2)～10^(-3)。N(P_4^+)/N(P_3~0)～1/100。P_3~0P_4~0—D之间的热平衡反应常数K～10^(16)cm^(-3)。但是,当C(g)≤10^(-6)时,K可降到10^(16)cm^(-3)。
- 颜一凡
- 关键词：非晶硅磷掺杂
- 解M/a-Si势垒区泊松方程
- 1990年
- 本文证明:(1)对任何形式的、连续的、a-Si隙态密度分布函数,只要我们利用Riemann-Stieltjes积分中值定理,势垒区的泊松方程都可以解析求解.(2)M/a-Si势垒区泊松方程的抛物函数解,是由假定空间电荷区自由载流子耗尽带来的.
- 颜一凡
- 关键词：半导体非晶硅泊松方程
- A-Si∶H磷掺杂固相效率
- 1997年
- 证明了ａ－ＳｉＨ磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数，其系数可由磷掺杂饱和极限。
- 颜一凡
- 关键词：磷掺杂解析函数
- 非晶硅中磷掺杂固相效率的计算(英文)
- 1992年
- 本文介绍一种简便的计算磷掺杂a-Si中固相效率η(s)的方法.它与隙态密度分布函数g(E)没有明显的依赖关系,而与气相掺杂浓度C(g)直接相关.这种计算η(s)的方法对实验工作者非常有用.
- 颜一凡
- 关键词：非晶态磷硅掺杂
- 非晶硅的基本物理参数
- 1991年
- 非晶硅(a-Si)的研究史,至少可以上溯20年.现在已经积累了关于这种材料性质的大量资料.但是,要凭现存这些资料,整理出一张完整和确切的a-Si物理参数表来却非常困难.因为,(1)a-Si是一种薄膜半导体材料,是采用辉光淀积(GD)、溅射(Sp)、蒸发)Ev)和化学汽相淀积(CVD)等方法制成的.但是,由不同的制备方法所生产的a-Si。
- 颜一凡
- 关键词：非晶硅物理参数
