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赵星

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电特性
  • 1篇砷化镓
  • 1篇外延片
  • 1篇结构特性
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇GA
  • 1篇GAAS/G...
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD法
  • 1篇MOCVD技...
  • 1篇MOCVD生...

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 3篇赵星
  • 2篇高鸿楷
  • 2篇何益民
  • 1篇朱李安
  • 1篇杨青
  • 1篇赵家龙
  • 1篇龚平
  • 1篇高瑛
  • 1篇刘学彦

传媒

  • 1篇光子学报
  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇1996
  • 2篇1993
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
极性/非极性材料-GsAs/Ge、GaP/Si MOCVD生长及特性研究
该文介绍了MOCVD技术的发展过程,生长原理及其发展前沿.简要描述了异质外延的特点,生长机制,存在的问题及解决办法.在此基础上作者用自己设计制造的MOCVD系统对GaAs/Ge、GaP/Si异质外延进行系统的实验研究,探...
赵星
关键词：MOCVD技术工艺参数外延片光电特性
GaAs／Ge的MOCVD生长研究被引量：5
1996年
用常压ＭＯＣＶＤ在Ｇｅ衬底上外延生长了ＧａＡｓ单晶层，研究了ＧａＡｓ和６ｅ的极性与非极性材料异质外延生长，获得了质量优良的ＧａＡｓ／Ｇｅ外延片，ＧａＡｓ外延层Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽达１６弧秒。１０Ｋ下ＰＬ谱半峰宽为７ｍｅＶ．讨论了极性与非极性外延的界面反相畴问题和ＧａＡｓ－Ｇｅ界面的Ｇａ、Ｇｅ原子互扩散问题。
高鸿楷赵星何益民杨青朱李安
关键词：MOCVD砷化镓
MOCVD法异质外延GaP/Si薄膜的研究
1993年
微电子和光电子材料兼容的技术是未来功能器件中的一个重要方向,它可以将成熟的Si集成工艺和GaP优良的发光特性结合起来,完成新一代微型显示和集成光学元件。我们用MOCVD方法在Si衬底上异质外延GaP薄膜,通过X光双晶衍射和能谱分析,在国内用MOCVD方法首次获得了GaP/Si的单晶薄层,并研究了它们的结构特性。
高瑛刘学彦赵家龙苏锡安高鸿楷赵星龚平何益民
关键词：MOCVD法结构特性
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