贺振宏
- 作品数：43 被引量：21H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 光伏新材料——掺氮碳薄膜溅射制备技术及测试被引量：4
- 2003年
- 介绍了采用氮气离子束溅射 ,高纯石墨为靶材 ,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺技术。对薄膜的沉积过程作了讨论 ,采用 X射线光电子能谱 (XPS)技术等对薄膜结构成分、氮 -碳、碳 -碳原子之间的键以及结合能作了研究 ,在 (1 1 1 )单晶硅片上沉积掺氮碳薄膜 ,构成 C/Si异质结 ,在 1 0 0 m W/cm2 光照下 ,开路电压达 2 0 0 m V。
- 丁正明周之斌崔容强孙铁囤贺振宏
- 关键词：光伏材料X射线光电子能谱太阳能电池
- 利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统
- 一种利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统，该系统包括：一与其他真空生长设备相兼容的超高真空室；一原子力显微镜，其固定在超高真空室的底部；一衬底托固定装置，其固定在原子力显微镜的上面，该衬底托固定装置的中间有一孔...
- 査国伟牛智川倪海桥尚向军贺振宏
- 文献传递
- GaInAsSb低维材料分子束外延生长及器件研究1
- 本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技...
- 牛智川尚向军王国伟徐应强任正伟贺振宏倪海桥李密锋喻颖王娟王莉娟查国伟邢军亮徐建星向伟
- 关键词：超晶格半导体低维材料分子束外延生长元器件
- 文献传递
- 镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究被引量：2
- 1999年
- 报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒； 在Ａｒ＋ 激光（４８８ｎｍ ）的激发下， 观察到了室温下的光致发光现象． 发光峰中心位于２．２ｅＶ． 由多层膜制备出的样品其发光强度相对加强， 且半高宽也显著变窄， 表明利用多层膜可较好地控制尺寸分布．
- 徐骏陈坤基黄信凡贺振宏韩和相汪兆平李国华
- 关键词：多层膜光致发光镶嵌型
- 一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法
- 本发明公开了一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法，该方法包括：在光电子器件表面预涂一层光刻胶；利用光刻技术在光电子器件表面形成对准孔阵列；在光纤的端部剥去涂覆层露出光纤内芯；在显微镜及位移平台的辅助下将光纤端部露出的光纤内...
- 査国伟牛智川倪海桥李密锋喻颖王莉娟徐建星尚向军贺振宏
- 文献传递
- 中长波InAs/GaSb超晶格材料及探测器研究
- 针对超晶格材料在中长波段的材料结构特点并结合理论模拟结论，采用生长中断方法和迁移率增强(MEE)方法进行中长波段超晶格材料分子束外延的生长参数优化研究。超晶格材料经过湿法腐蚀微加工工艺和表面钝化工艺后，分别制备了中波段和...
- 王国伟王娟邢军亮徐应强任正伟贺振宏牛智川
- 关键词：红外探测器超晶格材料分子束外延
- 文献传递
- 分子束外延生长高空穴迁移率InGaSb/AlGaSb量子阱
- 高电子迁移率晶体管(HEMT)自问世30多年来已经在各类高速电学器件中得到广泛应用.近年来,Sb化物半导体具有高的电子迁移率、低的工作电压而成为近年来发展新一代高速低功耗器件的热门材料.
- 王娟邢军亮向伟王国伟任正伟徐应强贺振宏牛智川
- GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法
- 一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO<Sub>2</Sub>薄膜；在SiO<Sub>2</...
- 徐建星査国伟张立春魏思航倪海桥贺振宏牛智川
- 文献传递
- GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化
- 2008年
- 采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构。InAs纳米线(QWRs)选择性生长在GaAs层的台阶边缘。通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括:衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAs表面形貌有很大的影响。如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成。表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争。
- 牛智红任正伟贺振宏
- 关键词：分子束外延表面形貌原子力显微镜量子线
- 一种雪崩光电二极管及其制作方法
- 本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制作方法。所述二极管包括：在衬底上至少外延生长的缓冲层，N型欧姆接触层，光吸收层，雪崩倍增层和P型欧姆接触层。本发明采用不同厚度的InAs层、GaSb层的超晶格制成光吸收层，可以吸收从短...
- 向伟王国伟徐应强郝宏玥蒋洞微任正伟贺振宏牛智川
- 文献传递
