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符德胜

作品数:10 被引量:59H指数:4
供职机构:中山大学物理科学与工程技术学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 4篇化学工程
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇陶瓷
  • 4篇氧化锌
  • 4篇介电
  • 4篇介电谱
  • 3篇时域
  • 2篇氧化锌陶瓷
  • 2篇晶界层
  • 2篇非线性
  • 1篇电介质
  • 1篇电路
  • 1篇电路参数
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电容效应
  • 1篇电子陶瓷
  • 1篇电阻
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子寿命
  • 1篇正电子寿命谱
  • 1篇时域分析

机构

  • 10篇中山大学

作者

  • 10篇符德胜
  • 10篇李景德
  • 4篇雷德铭
  • 2篇庄红
  • 2篇李向前
  • 1篇蒋志洁
  • 1篇朱梓英
  • 1篇陈敏
  • 1篇曹万强

传媒

  • 3篇无机材料学报
  • 3篇中山大学学报...
  • 2篇科学通报
  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 3篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
时域方法在非线性效应研究中的应用
1993年
引入时域参数的概念使时域方法可推广用于研究非线性效应的微观机理.决定氧化锌变阻器宏观物性的微观原因可分为4种不同的机构.正反向串联的阻挡层决定其漏电电流,陶瓷中晶粒及其间界层决定其非线性导电指数.阻挡层中空间电荷的自由弛豫时间长达200s.
李景德庄红雷德铭符德胜
关键词:氧化锌变阻器
陶瓷中的三种电响应机构被引量:2
1994年
用时域和频域介电谱方法可以将晶界层陶瓷中晶粒、内边界层和阻挡层三种不同机构对外加电场的响应讯号分开。从而得出每种机构对样品的总电阻或总电抗的贡献。观察到极化子跳跃导电的弛豫效应,它使样品的阻抗呈现电感性。比较了掺杂氧化锌、钛酸锶和钛酸钡三种典型陶瓷的晶界层的异同。
陈敏李景德李向前符德胜
关键词:陶瓷时域分析频域分析电阻
氧化锌陶瓷中慢极化机构的特性被引量:11
1993年
氧化锌陶瓷中存在一种慢极化机构,它是在低电压下晶粒间界中空间电荷运动的贡献.慢极化机构使材料在超低频段的等效静态介电常数比工频测量结果高一个数量级.实验和理论研究表明,这种慢极化效应和普通电容器的充放电性质有很大差别,可望用以制成一种新式的贮能器.它适用于低压电能的缓慢存入和高电阻负载;在经受不太长时间的短路放电后,它仍能保存部分能量并使电压逐渐回升.
雷德铭符德胜李景德
关键词:氧化锌陶瓷陶瓷
氧化锌陶瓷的非线性电容效应被引量:4
1992年
近年来有三种利用晶粒间界效应的电子陶瓷引起应用和机理研究者的注意。这就是内边界层电容陶瓷、PTC(positive temperature coefficient)陶瓷和变阻器(varistors)陶瓷。一些掺杂钙钛矿型晶粒结构的陶瓷,其中的晶粒具有高电导率而晶粒间界是绝缘的,因而具有很高的等效介电常数,已广泛用于电容器的小型化,并有希望用于能量存贮。后两种晶界层陶瓷因为在于利用其电阻效应,对其电容效应研究的报道极少。其实。
李景德庄红雷德铭符德胜
关键词:氧化锌电子陶瓷电容效应非线性
时域介电谱方法及其应用被引量:38
1996年
提出了微分和二次微分时域介电谱方法。极化响应可描述为exp[-(t/τ)^α]类型若干个分得很开的峰。峰的线型决定α,它有1和1/2两个典型值。极化机构种类和峰的个数相等,峰高给出各机构对极化贡献的成份。响应时间τ由峰的位置决定,谱线的分离说明习惯设α=1而令τ有连续分布的看法缺乏根据。在石蜡中观察到温升高时τ指数增大,石蜡熔解过程中出现时域谱线分裂,从中可得到分子链运动的许多信息。
李景德曹万强李向前符德胜
晶界层陶瓷中的慢极化响应被引量:2
1994年
利用时域介电谱方法在氧化锌变阻器陶瓷中发现了一种非线性慢响应极化成分,它占了样品静态电容C_s的60—95%,响应时间长达数百秒.它区别于工频以上的普通介电极化;存在于多相固体的晶粒间界层,有类似于蓄电池的性质.用于内边界层电容的钛酸锶和具有正温度系数(PTC)的钛酸钡陶瓷是另外两类晶界层陶瓷的典型代表。
蒋志洁符德胜李景德
关键词:介电谱晶界层陶瓷
晶界层陶瓷慢极化机理被引量:5
1996年
在Mahan的理论中计入电流流过陶瓷的晶界时所引起的压降并加以改进,可以说明三种典型晶界层陶瓷的时域介电谱中的慢极化响应.由物质常数出发就能经理论计算给出SrTIO_3和ZnO有两个慢响应峰,而BaTiO_3只有一个;ZnO的低电压峰位于零场,而其余两种陶瓷的低压峰应离开零场位置;理论结果和实验一致.在强场下ZnO和SrTiO_3的晶界层出现空穴区而使材料参数可能发生转折性奇异;单晶界层和多晶界层的不均匀性都会因串、并联效应而使这种奇异点不出现于实验中.
李景德符德胜雷德铭
关键词:晶界层陶瓷介电谱氧化锌
硫酸三甘肽的正电子寿命谱研究
1997年
配合时域介电谱方法用正电子湮没技术对硫酸三甘肽(TGS)的铁电相变过程进行了测量,发现正电子寿命谱有两个较强的成份和一个很弱的成份,后者相应于正电子偶素,各分量在相变点附近很窄的温区出现奇异性质。
朱梓英符德胜李景德
关键词:铁电相变正电子寿命谱
电介质的偶极自相关函数
1994年
线性响应理论表明电介质在零外场或非零外电场中的偶极自相关函数应不同。用空间电荷激发的统计模型理论可得出上述函数的两种不同表示式。由偶极自相关函数可以定义表征物性的时域参数,它比频域参数更能说明宏观物性和微观结构的关系。理论结果解释了热释电、压电和电极化弛豫中的大量实验结果,时域参数的概念还可推广应用于非线性效应。
李景德符德胜
关键词:介电谱偶极自相关函数电介质
电路参数对时域介电谱的影响被引量:1
1993年
对电容器用绝缘纸电介质材料进行了详细的时域介电谱研究.零电场和有外场条件下的复介电常数有显著区别.自由弛豫时间 r′和随机弛豫时间(?)都有开路值或短路值之分;两种测值都可能相差多达六个数量级,并且都会受到测量中所用样品的电容值的影响.提出了得到可靠的时域介电谱的方法.
李景德符德胜
关键词:电容器时域介电谱电路参数
共1页<1>
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