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文献类型

  • 6篇专利
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领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 4篇前沿性
  • 4篇CMOS电路
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  • 2篇刻蚀
  • 2篇机械系统
  • 2篇厚度
  • 2篇厚度控制
  • 2篇超深
  • 1篇电隔离
  • 1篇多晶

机构

  • 9篇北京大学

作者

  • 9篇朱泳
  • 9篇王成伟
  • 8篇王阳元
  • 8篇闫桂珍
  • 5篇范杰
  • 2篇张大成
  • 2篇刘雪松
  • 2篇郝一龙
  • 1篇周健
  • 1篇阎桂珍
  • 1篇杨振川

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究被引量:6
2003年
体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0~ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的DRIE (DeepReactiveIonEtching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术 ,形成了高深宽比的深电隔离槽 (宽 3.6 μm ,深 85μm)。还提出了一种改变深槽形状的方法 ,使深槽的开口变大 ,以利于多晶硅的填充 。
朱泳闫桂珍王成伟王阳元
关键词:高深宽比刻蚀技术电隔离微电子机械系统
一种CMOS电路与体硅微机械系统集成的方法
本发明公开了一种将单片CMOS与体硅微机械系统集成的方法,其技术方案为:1)形成隔离槽:采用深槽刻蚀,SiO<Sub>2</Sub>和多晶硅填充,实现MEMS结构和CMOS电路的绝缘;2)完成隔离槽后进行标准CMOS电路...
闫桂珍郝一龙朱泳王成伟张大成王阳元
文献传递
ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究被引量:10
2003年
在高密度反应离子刻蚀技术中 ,存在明显的线宽损失 ,对小尺寸MEMS结构影响很大 ,将使MEMS器件灵敏度下降 ,稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术 ,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4 F8,同时适当减小循环周期的刻蚀时间 ,使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的 15 5nm减少到 5 5nm。此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中 。
王成伟闫桂珍朱泳
关键词:ICP离子刻蚀微机电系统
一种CMOS电路与体硅微机械系统集成的方法
本发明公开了一种将单片CMOS与体硅微机械系统集成的方法,其技术方案为:1)形成隔离槽:采用深槽刻蚀,SiO<Sub>2</Sub>和多晶硅填充,实现MEMS结构和CMOS电路的绝缘;2)完成隔离槽后进行标准CMOS电路...
阎桂珍郝一龙朱泳王成伟张大成王阳元
文献传递
Fabrication of Ultra Deep Electrical Isolation Trenches with High Aspect Ratio Using DRIE and Dielectric Refill
2005年
A novel technique to fabricate ultra deep high aspect ratio electrical isolation trenches with DRIE and dielectric refill is presented.The relationship between trench profile and DRIE parameters is discussed.By optimizing DRIE parameters and RIE etching the trenches’ opening,the ideal trench profile is obtained to ensure that the trenches are fully refilled without voids.The electrical isolation trenches are 5μm wide and 92μm deep with 0.5μm thick oxide layers on the sidewall as isolation material.The measured I-V result shows that the trench structure has good electrical isolation performance:the average resistance in the range of 0~100V is more than 10 11Ω and no breakdown appears under 100V.This isolation trench structure has been used in fabrication of the bulk integrated micromachined gyroscope,which shows high performance.
朱泳闫桂珍王成伟杨振川范杰周健王阳元
一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法
本发明公开了一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法,其包括以下步骤:1.在硅片上采用标准CMOS工艺完成集成电路部分的制作;2.淀积钝化层保护所述集成电路部分;3.采用深槽刻蚀,在所述隔离槽内填充低温电绝缘介质;...
王成伟闫桂珍朱泳范杰刘雪松王阳元
文献传递
一种超深隔离槽开口形状的控制方法及产品
本发明公开了一种体硅集成MEMS技术中超深隔离槽开口形状的控制方法及产品,其技术方案为:首先在硅片表面淀积多晶硅作为牺牲层,再进行深槽刻蚀,刻蚀后将多晶硅牺牲层去掉。(1)在硅片表面形成SiO<Sub>2</Sub>牺牲...
朱泳闫桂珍范杰王成伟王阳元
文献传递
一种超深隔离槽开口形状的控制方法
本发明公开了一种体硅集成MEMS技术中超深隔离槽开口形状的控制方法其技术方案为:首先在硅片表面淀积多晶硅作为牺牲层,再进行深槽刻蚀,刻蚀后将多晶硅牺牲层去掉。(1)在硅片表面形成SiO<Sub>2</Sub>牺牲层;(2...
朱泳闫桂珍范杰王成伟王阳元
文献传递
一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法
本发明公开了一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法,其包括以下步骤:1.在硅片上采用标准CMOS工艺完成集成电路部分的制作;2.淀积钝化层保护所述集成电路部分;3.采用深槽刻蚀,在所述隔离槽内填充低温电绝缘介质;...
王成伟闫桂珍朱泳范杰刘雪松王阳元
文献传递
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