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潘瑞

作品数:3 被引量:14H指数:2
供职机构:上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市卫生系统百名跨世纪优秀学科带头人培养计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇品质因数
  • 2篇螺旋电感
  • 2篇变容管
  • 2篇VCO
  • 2篇MOS变容管
  • 1篇电路
  • 1篇电容
  • 1篇电阻
  • 1篇压控
  • 1篇压控振荡器
  • 1篇振荡器
  • 1篇射频
  • 1篇射频电路
  • 1篇片上螺旋电感
  • 1篇品质因数Q
  • 1篇相位
  • 1篇寄生参数
  • 1篇CMOS_R...
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管

机构

  • 3篇上海交通大学

作者

  • 3篇潘瑞
  • 2篇毛军发
  • 1篇王彬

传媒

  • 1篇高技术通讯
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2003
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
CMOS RF螺旋电感和VCO的设计与优化
论文第一章概要地介绍了RF集成电路的相关理论,讲述了振荡器的概念和种类,着重介绍了VCO的工作原理,并以一个VCO电路为例,讲述了它的分析设计方法.论文第二章详细研究了硅衬底RF集成电路中螺旋电感品质因数Q的数值和解析优...
潘瑞
关键词:片上螺旋电感品质因数MOS变容管
文献传递
硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化被引量:6
2003年
详细分析了RF集成电路硅衬底螺旋电感 (SIOS)的一种物理模型 ,该模型考虑了衬底效应。通过MATLAB仿真 ,得出了衬底损耗对螺旋电感品质因数Q的影响。在此基础上对金属线宽和线间距进行了严格的数值优化 ,实现了在设计要求不变的前提下螺旋电感Q的优化 ,并进一步推导出了最优化线圈宽度的近似解析式。采用优化结果进行设计 。
潘瑞毛军发王彬
关键词:品质因数串联电阻串联电容寄生参数
一种新型MOS变容管在射频压控振荡器中的应用被引量:8
2003年
 基于0.5μm工艺,设计了一个工作频率在1.8GHz,相位噪声在偏移量为500kHz时小于-100dBc/Hz的压控振荡器(VCO)。并将一个普通的压控MOS变容管改进为只工作在反型区的压控MOS变容管。将这两种MOS电容分别应用到该VCO电路中。结果表明,采用反型模式压控MOS变容管的VCO电路具有更大的调谐范围,调谐曲线由之前的反复变化变为单调变化,并且对电路的相位噪声也起到了抑制作用。
潘瑞毛军发
关键词:射频电路压控振荡器MOS变容管VCO场效应管
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