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毛开礼

作品数：18 被引量：32H指数：4
供职机构：西安理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 4篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇SIC
  • 4篇4H-SIC
  • 3篇单晶
  • 3篇制备及性能
  • 3篇溶胶
  • 3篇碳化硅
  • 3篇取向性
  • 3篇硅基
  • 3篇半绝缘
  • 2篇导电
  • 2篇应力
  • 2篇溶胶-凝胶
  • 2篇外延层
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化氢
  • 2篇厚膜
  • 2篇SI
  • 2篇SI基
  • 2篇LANIO3
  • 1篇大直径

机构

  • 11篇西安理工大学
  • 11篇中国电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 18篇毛开礼
  • 11篇王英民
  • 7篇赵高扬
  • 7篇徐伟
  • 7篇李斌
  • 4篇王利忠
  • 3篇侯晓蕊
  • 2篇姜志艳
  • 2篇田牧
  • 1篇周立平
  • 1篇刘前立
  • 1篇戴鑫
  • 1篇马康夫
  • 1篇魏汝省
  • 1篇胡彦飞

传媒

  • 10篇电子工艺技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiC外延衬底研究现状及其应用前景
2014年
随着国民经济发展"节能减排"任务的加剧,以及新兴电子系统变化的要求,电子系统对半导体元器件技术提出了高密度、高速度、低功耗、大功率、宽工作温度范围、抗辐射和高可靠等性能的要求。SiC单晶材料作为新兴的三代半导体衬底材料正好满足这些要求,被认为是制备微波器件、高频大功率器件、高压电力电子器件的优良衬底材料。分别介绍了传统Si-C-H体系和高速Si-C-H-Cl体系SiC外延工艺研究现状,同时介绍了新颖的高纯半绝缘SiC外延工艺研究状况。论述了SiC外延衬底在电力电子器件、微波器件等方面的应用,阐述了SiC外延衬底在未来节能减排、经济建设中的重要性。
毛开礼王英民李斌赵高扬
温度对碳化硅粉料合成的影响被引量：4
2012年
采用高温合成方法生成了高纯碳化硅(SiC)粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响。当反应温度从1 920℃升高到1 966℃时,生成的SiC粉粒度由12.548μm增加到29.259μm。当温度继续升高,SiC粉的粒度逐渐减小。温度高于2 000℃时,SiC粉的粒度趋于约20μm。同时,X射线衍射图分析表明,温度高于2 000℃时,生成的SiC粉料中C比例会明显增加。
田牧徐伟王英民侯晓蕊毛开礼
关键词：碳化硅温度粒度
化学气相沉积法制备碳化硅厚膜外延层及其缺陷研究
碳化硅（SiC）单晶厚膜外延材料具有高热导率、高温度可靠性、高电子迁移率等特点，可制备高压功率电力电子器件、新型GaN射频器件、MEMS器件等，在国防建设、新一代通信、高速轨道交通、新能源汽车等领域应用前景广阔。化学气相...
毛开礼
关键词：化学气相沉积法外延层
4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究被引量：2
2015年
高质量快速Si C外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同温度、气相y(C)/y(Si)摩尔比和刻蚀工艺等对于Si C外延层质量的影响。通过优化外延工艺参数,采用原位HCl刻蚀工艺,获得了Si C单晶外延生长速率达32μm/h的快速外延生长工艺,外延层表面平滑,表面粗糙度仅0.218 nm,晶片外延层厚度不均匀性小于0.4%。
毛开礼王英民李斌赵高扬
关键词：氯化氢
高真空下合成生长单晶用高纯碳化硅粉料被引量：6
2017年
采用自蔓延法合成单晶生长用高纯SiC粉料,特别地,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,随后利用所合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长。利用XRD、Raman光谱、SIMS(二次离子质谱仪)和非接触式电阻率测试仪等测试手段对合成粉料的物相、晶型以及碳化硅单晶的纯度和电阻率等参数进行了表征。研究发现,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,有助于高纯SiC粉料纯度的提升,特别是N浓度的降低。此外,高真空条件下合成的高纯碳化硅粉料有利于高纯半绝缘碳化硅单晶生长。
李斌马康夫王英民魏汝省毛开礼徐伟
关键词：高真空碳化硅粉料
溶胶-凝胶法制备LaNiO3薄膜电极的研究
本文采用溶胶-凝胶与化学修饰相结合的方法，引入乙酰丙酮作为化学修饰剂制备了LaNiO3溶胶。对镍溶胶进行紫外光谱测试分析，结果表明该溶胶在284 nm附近存在吸收峰。结合形成溶胶前后的红外光谱可以判断乙酰丙酮与醋酸镍发生...
毛开礼赵高扬
关键词：合金薄膜薄膜电极
文献传递
硅基取向性PbZr<sub>0.52</sub>Ti<sub>0.48</sub>O<sub>3</sub>/LaNiO<sub>3</sub>薄膜制备及性能研究
LaNiO3氧化物具有优良的室温导电性能,且具有与PZT等铁电材料相似的钙钛矿结构,被认为是理想的电极和缓冲层材料.在Si基板上制备取向性LaNiO3薄膜对于制备取向性PZT薄膜,进而制备硅基铁电器件具有重要意义。本文采...
毛开礼
关键词：溶胶-凝胶
高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究
2017年
高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要。研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响。通过激光拉曼光谱、原子力显微镜、场发射扫面电镜等分析,测试了石墨烯材料的大小、形态,为后续工艺的改进提供参考。在1 650℃、500 Pa压力下生长2 h制备的外延石墨烯,具有更高品质和表面连续性,拉曼光谱中2D峰的半高宽(FWHM)约为34 cm^(-1),能够用单峰洛伦兹拟合,预示着单层石墨烯的形成。
毛开礼胡彦飞王英民李斌赵高扬
关键词：石墨烯
大直径半绝缘4H-SiC单晶生长及表征被引量：5
2012年
采用升华法稳定地生长出7.62 cm半绝缘4H-SiC单晶。通过优化钒掺杂工艺获得了均匀分布的电阻率1011Ω·cm。用激光拉曼光谱仪对晶片进行扫描,结果表明SiC单晶晶型为4H晶型。半绝缘4H-SiC单晶微管密度最好结果小于2 cm-2。用高分辨X射线衍射术表征了7.62 cm 4H-SiC单晶衬底片的结晶质量,(0004)衍射摇摆曲线半峰宽为40",说明晶体结晶性较好。
王英民毛开礼徐伟侯晓蕊王利忠姜志艳
关键词：半绝缘4H-SIC
硅基取向性性PbZr0.52Ti0.48O3/LaNiO3薄膜制备及性能研究
LaNiO3氧化物具有优良的室温导电性能，且具有与PZT等铁电材料相似的钙钛矿结构，被认为是理想的电极和缓冲层材料。在Si基板上制备取向性LaNiO3薄膜对于制备取向性PZT薄膜，进而制备硅基铁电器件具有重要意义。　　本...
毛开礼
关键词：铁电性能
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