杨天丽
- 作品数：71 被引量：30H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院军民两用基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学核科学技术化学工程环境科学与工程更多>>
- 铝中超微量铀的ICP-MS测定被引量：1
- 2009年
- 采用多接收电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)对铝锭及氧化铝中的超微量铀进行了分析测定,采用浓盐酸溶解样品,监测流程空白.未对铝基体进行分离,直接进行分析测定,相对标准偏差小于4%.
- 刘雪梅刘钊杨天丽龙开明汤磊
- 关键词：铀超微量电感耦合等离子体质谱
- Sn激光共振电离质谱分析中电离通道理论探讨被引量：1
- 2016年
- Sn激光共振电离质谱同位素分析中电离通道的选择非常关键.采用Dirac–Hartree–Fock(MCDHF)方法和相对论组态相互作用的Grasp VU原子结构计算程序,计算了Sn、Te原子的低激发态能级结构、光谱跃迁几率.通过对Sn质谱分析用灯丝样品进行热蒸发实验,确定了Sn原子在蒸发条件下基态能级粒子布局.结合理论计算跃迁数据和布局数据,从选择性电离角度出发,推荐了Sn激光共振电离质谱分析中Sn电离光谱通道.
- 杨天丽龙开明卞国杰王宏斌蒋刚
- 关键词：能级结构跃迁几率热蒸发
- 痕量锂同位素的热表面电离质谱高精度测量被引量：1
- 2010年
- 建立了痕量锂同位素的高精度热电离质谱测量技术。通过双带测量、加入磷酸发射剂及采用预烧处理方法等途径,抑制了分馏效应,提高了痕量锂质谱分析的精度。采用浓缩锂同位素标准样品考察了测量效果,对于100ng锂样品,测量相对标准偏差好于0.086%;对于10ng锂样品,相对标准偏差好于0.90%。
- 汤磊刘雪梅龙开明刘钊杨天丽
- 关键词：锂
- 基于四极质谱仪的大气样品中氙同位素丰度比的测量方法
- 本发明公开了基于四极质谱仪的大气样品中氙同位素丰度比的测量方法。该方法包括进样、活性组分一级纯化、活性组分二级纯化、低温吸附、升温去氩、同位素测量和数据处理等流程。通过控制待测大气样品进样速度，压力计监控压力变化将待测大...
- 杨天丽罗立力刘雪梅龙开明
- 文献传递
- 高离化态V的电离势及类氦V<'21+>离子的电四极矩光谱跃迁数据的相对论计算
- 该文基于相对论多组态自洽场方法VVⅡ至VXXⅢ离子的基态能量和部分电离势，类氦V<'21+>离子的电四极矩和磁偶极矩光谱跃迁数据，计算中考虑了核的限体积效应，Berit修正，QED修正，该文计算结果与文献的的实验值符合得...
- 盛勇汪蓉杨天丽朱正和
- 关键词：高离化态电离势
- 擦拭样品中铀微粒甄别技术的研究被引量：6
- 2007年
- 基于裂变径迹原理对擦拭样品中微米量级铀微粒筛选技术进行了研究。研究内容包括擦拭样品与载体分离、样品在裂变径迹片上沉积、样品辐照以及化学刻蚀、铀微粒筛选等。文章中对各实验环节进行细致描述和讨论。研究发现:(1)以无尘滤纸、脱脂棉、Texwipe牌TX304型棉布为擦拭载体的样品经过400℃6 h灰化为较好的分离方法;(2)经热中子辐照和化学刻蚀后裂变径迹主要呈星状和坑状。其中235U含量高的微粒对应于坑状径迹,含量低的微粒对应于星状径迹;(3)采用新的定位方法能够筛选出铀微粒。
- 杨天丽刘雪梅刘钊汤磊龙开明
- 关键词：裂变径迹
- 同位素稀释-负热电离质谱法标定锝-97稀释剂
- 负热电离质谱法对本单位自行研制生产的97Tc稀释剂同位素组成进行了分析测定,并采用同位素稀释质谱法对其浓度进行了标定,选用等概率模型对同位素比值测定结果进行校正,组成分析不确定度≤0.5％,浓度标定合成不确定度＜2.12...
- 刘雪梅汤磊龙开明杨天丽刘钊
- 钚材料生产时间测定技术研究
- 在军控技术研究中,判断钚材料的生产时间是一项重要的研究内容。生产时间定义为钚-镅分离纯化时刻与测量时刻之间的时间,测定原理是利用钚材料中的同位素 241Pu衰变成241Am,分析钚材料中的241Am与241Pu的原子数比...
- 龙开明刘雪梅杨天丽汤磊刘钊付中华迮仁德
- 文献传递
- 金等离子体高离化离子双电子复合的理论研究
- 双电子复合过程是金等离子体的重要原子动力学过程.研究高离化金离子的双电子复合过程对于金等离子体的状态参数(电子温度、密度、电荷状态分布以及平均电离度等)诊断具有重要作用.该文根据准相对论多组态Hartree-Fock方法...
- 杨天丽
- 关键词：金等离子体双电子复合电子密度
- 类氢硅离子双电子复合的理论研究
- 2005年
- 基于准相对论多组态Hartree Fock理论和Cowan程序包(RCN34/RCN2/RCG9),计算了类氢硅离子双电子复合速率系数,讨论了双激发自电离态电子的轨道角动量、电子温度、双电子复合过程的末态选择等对类氢硅离子双电子复合速率系数的影响.计算结果表明:在研究的电子温度范围内,复合通道为2pnp→2pn′l′的复合占优势,在电子温度Te=0 07keV时,总复合系数达到共振峰αDR=1 41×10-11cm3·s-1.
- 谌晓洪杨天丽唐永建蒋刚朱正和
- 关键词：双电子复合速率系数
