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李晓雷

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学物理学系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇硅
  • 1篇低剂量
  • 1篇直拉硅
  • 1篇退火
  • 1篇离子注入
  • 1篇快速退火
  • 1篇光谱
  • 1篇光热电离光谱
  • 1篇含氮
  • 1篇磷

机构

  • 2篇复旦大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 2篇李晓雷
  • 1篇叶红娟
  • 1篇陆昉
  • 1篇邬建根
  • 1篇胡灿明
  • 1篇黄叶肖
  • 1篇黄庆红
  • 1篇沈学础

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究
1992年
本文对低剂量磷离子注入硅经快速热退火后的缺陷特性进行研究。600℃退火就能基本激活注入离子。800℃以下退火样品中的缺陷主要是离子注入形成的辐射损伤缺陷。800℃以上退火样品中存在位错缺陷。位错的形成与离子注入引进的损伤和淬火过程中的热应力有关。1100℃退火样品中的缺陷浓度迅速增大,热应力在硅内部产生大量的滑移位错。
李晓雷陆昉孙恒慧黄庆红
关键词：磷离子注入退火硅
含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究
1991年
报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。
胡灿明黄叶肖叶红娟沈学础祁明维邬建根李晓雷
关键词：直拉硅硅
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