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朱西安

作品数：10 被引量：31H指数：4
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇碲镉汞
  • 6篇焦平面
  • 6篇红外
  • 6篇红外焦平面
  • 4篇刻蚀
  • 3篇探测器
  • 3篇焦平面探测器
  • 3篇红外焦平面探...
  • 3篇干法刻蚀
  • 2篇质谱
  • 2篇面阵
  • 2篇焦平面阵列
  • 2篇红外焦平面阵...
  • 2篇暗电流
  • 2篇SIMS
  • 2篇HGCDTE
  • 2篇长波
  • 1篇液相外延
  • 1篇质谱分析
  • 1篇中波

机构

  • 10篇华北光电技术...

作者

  • 10篇朱西安
  • 6篇孙浩
  • 4篇王成刚
  • 3篇李震
  • 3篇胡小燕
  • 2篇左雷
  • 2篇刘明
  • 2篇李龙
  • 1篇喻松林
  • 1篇周立庆
  • 1篇张舟
  • 1篇李敬国
  • 1篇康键
  • 1篇史春伟
  • 1篇陈慧卿

传媒

  • 6篇激光与红外
  • 1篇红外技术
  • 1篇航天返回与遥...
  • 1篇第二届全国先...
  • 1篇首届全国先进...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 2篇2005
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究被引量：6
2008年
介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数,阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析,最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数,获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。
李震胡小燕史春伟朱西安
关键词：ICP接触孔干法刻蚀碲镉汞
SIMS在碲镉汞红外焦平面探测器工艺中的应用
本文介绍了二次离子质谱仪的结构及其基本工作原理,并通过对典型应用的分析,介绍了二次离子质谱分析技术在高灵敏度碲镉汞红外焦平面探测器材料和器件制备工艺中的作用,特别是在结探监测和微量杂质监控方面所发挥的重要作用。
朱西安左雷李震
关键词：红外探测质谱分析
文献传递
长波碲镉汞材料As掺杂激活研究
2015年
利用离子注入工艺实现长波碲镉汞材料的As掺杂,As作为掺杂介质表现出两性掺杂行为,而As只有占据Te位成为受主才能形成P型碲镉汞材料。通过对砷掺杂碲镉汞材料在汞气氛中进行退火,分析注入退火引起的样品电学性质的变化,对砷激活退火采用的汞压、温度及时间进行了研究,利用霍尔测试和二次离子质谱仪(SIMS)等手段分析激活效果,研究发现,高温富汞热退火可以实现碲镉汞As激活。
张舟陈慧卿朱西安
关键词：碲镉汞
HgCdTe微台面红外焦平面技术研究
文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320 × 256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm.
朱西安孙浩王成刚胡小燕刘明
关键词：干法刻蚀液相外延
文献传递
双色碲镉汞红外焦平面探测器发展现状被引量：10
2009年
主要介绍了双色碲镉汞红外焦平面阵列的应用需求和国外发展现状,对其工作模式、器件结构、器件制备的关键工艺技术、双色读出电结构进行了阐述说明。
王成刚孙浩李敬国朱西安
关键词：碲镉汞红外焦平面阵列双色探测器分子束外延台面刻蚀
碲镉汞长波探测器暗电流优化模拟被引量：2
2014年
报道了利用Silvaco软件对Hg1-x Cd x Te(x=0.22)n-on-p型长波探测器的模拟仿真结果。采用二维简化pn结模型,以品质因子R0A为标准,模拟计算了载流子寿命、缺陷密度、表面态、p区受主浓度、p区厚度、n区厚度宽度对暗电流的影响,得出在良好的品质因子范围内各个参量可以接受的范围。并针对重要参量利用软件对其复合速率,电流分布,载流子浓度等进行了详细模拟分析,为探测器设计制备提供了参考。
李龙孙浩朱西安
关键词：长波碲镉汞暗电流品质因子
百万像素中波红外焦平面组件研制被引量：5
2016年
中波红外焦平面组件是"高分四号"卫星凝视相机红外成像通道的核心器件。为满足航天型号应用要求,华北光电技术研究所项目团队立足国内技术基础,采用主流的红外焦平面组件技术路线,突破了高均匀性中波红外材料制备、百万像素中波探测器芯片加工、超大规模读出电路设计、高密度铟柱阵列倒装互连、大冷头尺寸微型杜瓦封装等关键技术,研制了像元数为1 024×1 024的百万像素大面阵中波红外焦平面组件,对大面阵中波红外焦平面组件的像元响应一致性、航天环境适应性、可靠性等进行了优化设计,并进行了地面测试和试验验证。中波红外焦平面组件的噪声等效温差达到21.4m K、有效像元率优于99%,经过高温70℃条件下1 500h长期存储和12 000次开关机温度冲击等试验后性能稳定。测试和试验结果表明:像元数为1 024×1 024中波红外焦平面组件产品的性能、环境适应性和可靠性满足技术要求。
喻松林朱西安周立庆王成刚孙浩康键
关键词：中波红外焦平面
HgCdTe微台面红外焦平面技术研究被引量：4
2005年
文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320×256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm。
朱西安孙浩王成刚胡小燕刘明
关键词：HGCDTE干法刻蚀
碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析被引量：2
2014年
针对n-on-p型长波Hg1-x Cdx Te红外探测器的暗电流进行建模分析,分析了不同机制对暗电流的影响,仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark=9×10-10 A,工作电阻Rr=109Ω,品质因子R0A=20Ωcm2。从仿真分析结果得出,在现有工艺下,Shockley-Read-Hall(SRH)复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素,其中SRH复合速率为2×1016/s·cm3,当表面态到达1×1012 cm-2,器件会出现严重的表面沟道。
李龙孙浩朱西安
关键词：碲镉汞仿真模拟暗电流
SIMS在碲镉汞红外焦平面探测器工艺中的应用被引量：3
2006年
文章介绍了二次离子质谱仪的结构及其基本工作原理,并通过对典型应用的分析,介绍了二次离子质谱分析技术在高灵敏度碲镉汞红外焦平面探测器材料和器件制备工艺中的作用,特别是在结探监测和微量杂质监控方面所发挥的重要作用。
朱西安左雷李震
关键词：二次离子质谱碲镉汞红外焦平面阵列结深
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