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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇MESFET
  • 1篇数值模拟
  • 1篇稳态
  • 1篇金属-半导体...
  • 1篇晶体管
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇槽栅
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇GAAS
  • 1篇值模拟

机构

  • 2篇西安交通大学

作者

  • 2篇徐成贤
  • 2篇朱维宝
  • 2篇陈贵灿
  • 1篇刘之行
  • 1篇邵志标
  • 1篇李显志

传媒

  • 2篇西安交通大学...

年份

  • 1篇1992
  • 1篇1991
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
凹槽栅砷化镓金属-半导体场效应晶体管的二维稳态有限元分析
1991年
本文叙述用有限元方法对凹槽栅GaAs MESFET’s器件进行稳态模拟的程序。半导体基本方程的离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;有限元网格采用非均匀剖分及局部加密细分,程序能对结点编序优化,缩小带宽,这对凹槽栅器件,优点更为明显;在用耦合法求解非线性方程组中,采用予优共轭梯度法和牛顿迭代法相结合的新方法,对给定的偏压能一次计算成功。
陈贵灿刘之行邵志标徐成贤李显志朱维宝
关键词:晶体管GAAS稳态
GaAs MESFET器件数值模拟的预优共轭梯度法
1992年
用传统的牛顿法对GaAs MESFET器件进行数值模拟,由于发散而并不成功。本文采用在不精确线性搜索条件下仍具下降性与收敛性的Fletcher-Reeves共轭梯度法,求解由非线性方程组转化成的非线性最小二乘问题。为使方法能在不同的二次区域形成共轭性较好的搜索方向,方法采用了重开始准则。为加快收敛速度,对目标函数采用了逐步预优的方法。为减少存储量,预优矩阵由Broyden修正公式产生,且不存储修正矩阵,计算结果表明方法稳定,收敛较快,数值结果与实验结果基本相符。
朱维宝徐成贤陈贵灿
关键词:数值模拟MESFET砷化镓
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