刘伊犁
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- B离子在n（Si）－GaAs层中的化学补偿效应被引量：1
- 1996年
- Ｂ＋注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ．当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＶＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢＧａＳｉＡｓ．由于所产生的受主与ｎ型层中施主ＳｉＧａ的补偿，减少了ｎ型层的载流子浓度，即Ｂ的化学补偿效应．本文采用霍耳测量及光致发光测量对Ｂ的补偿行为进行分析．
- 刘伊犁罗晏李国辉姬成周
- 关键词：GAAS
- 离子束感生PtSi的择优取向生长
- 1989年
- 在Si(111)衬底上淀积55nm金属Pt膜的样品,用能量为300keV的As^+离子注入后热退火,从X射线衍射分析中观察到了PtSi的择优取向生长现象,生长的择优方向为(101)。从晶体学的角度出发,对离子束感生后退火形成的多晶PtSi膜的择优取向生长现象进行了研究和讨论,并与单纯热退火形成PtSi的情况进行了比较,提出了界面PtSi择优生长的可能机制。另外,观察到衬底Si的取向对PtSi的择优取向生长有影响,在Si(100)衬底上形成的PtSi无择优取向生长现象。 离子束 择优取向
- 杨丽佳刘伊犁李恒德
- 关键词：离子束PTSI晶体
- 离子轰击增强光学膜（Al、Ag）的粘附性
- 张通知刘伊犁孙寅官
- 关键词：离子束注入光学玻璃金属薄膜
- BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响
- 1992年
- 研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF^+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。
- 李国辉韩德俊陈如意罗晏刘伊犁姬成周朱红清王策寰
- 关键词：砷化镓离子注入
- B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究
- 1992年
- B^+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B_(Ga)V_(As)和Si的相互作用,促使Si占据As的位置,形成受主,从而降低了n(Si)-GaAs层中的载流子浓度。我们认为B注入n(Si)-GaAs层光发光测量中观察到的1.33 eV峰与B,Si相关。
- 刘伊犁罗晏李国辉姬成周
- 关键词：离子注入砷化镓
- MOSi_2生长动力学研究
- 1988年
- 用超高真空电子束蒸发法,在单晶Si(100)衬底上淀积厚度为1000A的单层Mo膜,并在不破坏真空条件下,继续蒸镀120Aα-Si层。将样品在1.3×10^(-4)～2.6×10_(-4)Pa真空条件下退火,烧结硅化物。观察到硅化物的形成温度为500℃。通过500,525,550℃等温退火,得到MoSi_2生长厚度与退火时间的平方根成正比的结论。说明MoSi_2生长过程受主扩散元Si通过MoSi_2生长层的扩散限制,生长动力学服从抛物线规律。从而得到表观激活能E_a=1.92eV。
- 刘伊犁姬成周林文廉
- 关键词：生长动力学激活能
- 氧离子注入p型(Be)-GaAs形成高阻层的研究被引量：1
- 1991年
- 采用氧离子注入在p型(Be)-GaAs层中形成高阻层.根据I—V测量,光致发光测量,以及TEM方法观察的结果,得知载流子补偿主要与氧注入引入的损伤相关.当退火温度高于600℃时,由于损伤的恢复,所形成的高阻层开始向原来p型层转变.由于铍与氧的相互作用,高温退火将促进二次缺陷的形成与长大,使铍、氧共注入层的导电状态难以恢复到来注氧时的导电状态.
- 刘伊犁罗晏姬成周李国辉
- 关键词：离子注入GAAS
