余若祺
- 作品数：27 被引量：29H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高效率小型化S波段160W功率放大器载片研制被引量：2
- 2021年
- 为了解决S波段160 W高效率功率放大器载片的小型化问题,本文采用GaN HEMT芯片和无源匹配电路,在混合集成电路工艺的基础上,以及脉宽2 ms、占空比10%的条件下,得出2.7~3.5 GHz频带内输出功率大于165 W、功率增益12 dB、功率附加效率大于67%的性能指标,这一产品的外形尺寸为10 mm×8 mm,可广泛应用于多种电子系统,希望本文提出的研究方法可为后续同类产品的研制提供参考。
- 范国莹银军王毅李保第倪涛余若祺徐会博董世良
- C波段60W GaAs大功率内匹配晶体管
- 2009年
- 报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管。通过管芯的结构设计和工艺优化，进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制；通过内匹配技术对HPFET（highperformanceFET）管芯进行阻抗匹配，实现了器件的大功率输出；通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率。经测试，当器件Vds=10V时，在5．3～5．7GHz频段输出功率P≥47．8dBm（60．3W），功率附加效率PAE≥42．8％，其中在5．5GHz频率点，输出功率达到48dBm（63．1W），附加效率为46．8％。
- 邱旭李剑锋崔玉兴余若祺张博闻
- 关键词：大功率内匹配
- 基于GaAs IPD的X波段200W GaN宽带功率放大器被引量：2
- 2023年
- 基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)研制了一款X波段宽带内匹配大功率放大器。输入匹配电路采用高集成的GaAs集成无源元件(IPD)技术,在有限空间内实现宽带匹配。输出匹配电路采用L-C-L匹配网络及三节阻抗变换线,实现四胞匹配合成。该放大器封装在采用铜-钼铜-铜热沉的金属陶瓷管壳内,尺寸仅为24 mm×17.4 mm×5 mm。测试结果显示,在36 V漏极电压下,8.5~10.5 GHz频带内饱和输出功率大于200 W,功率附加效率≥38%,功率增益平坦度小于0.8 dB。该功率放大器具有广阔的工程应用前景。
- 黄旭银军余若祺斛彦生倪涛许春良
- 关键词：GAN内匹配宽带
- GaAs HFET功率器件热电子效应与寿命评估方法
- 2022年
- 本文通过分析热电子效应导致GaAs异质结构场效应晶体管(heterostructure field-effect transistor,HFET)(以下简称GaAs HFET器件)失效的机制,明确了热电子效应对器件可靠性的影响;通过高温射频加速试验,结合最小二乘法曲线拟合器件寿命方法,分析了热电子效应对器件长期可靠性的影响。同时提出了采用栅漏反偏试验剔除早期存在热电子效应的试验方法,保证器件的可靠性和工作寿命。
- 银军黄旭李用兵余若祺倪涛王忠许春良赵鹏阁
- 关键词：可靠性
- 电源调制管理压块及其制备方法
- 本申请适用于微波射频功率管及模块组件技术领域，提供了电源调制管理压块及其制备方法，该压块包括：压块盖板、电源管理电路元器件、电源管理电路板、电容、MOS管、电容电路板、MOS管电路板和压块壳体；压块壳体外侧设置有用于固定...
- 张一尘许春良斛彦生余若祺银军倪涛徐守利刘志军
- X波段1000W大功率内匹配功率器件研制被引量：2
- 2019年
- 一种新颖的GaN工艺应用于X波段高功率、高效率功率管,适合于雷达和遥感应用。不同于传统的GaN器件工作在28~40V,该器件工作大于50V,以达到高功率密度、效率和低输出电容。根据指标要求进行管芯结构设计,该大功率GaNHEMT内匹配器件采用双胞胞管芯功率合成技术,总栅宽为80mm×2。在50V漏电电压35μs周期、5%占空比测试条件下,10~11GHz频段内功率均大于1100W,功率增益大于7.5dB,在10.6GHz频点输出功率大于1300W,增益8.2dB,带内附加效率均大于35%,最高效率达到38.9%。
- 李剑锋银军余若祺梁青默江辉黄雒光
- 关键词：GAN高功率内匹配X波段KW
- X波段小型化高集成度130W功放载片研制被引量：2
- 2019年
- 本文介绍了一种X波段小型化高增益高集成度功放载片的设计方法。该功率载片基于28V工作GaN功率单片和功率管芯,采用内匹配方式和混合集成电路形式,研制的四级放大链高集成度的功放载片,实现了X波段9.0~10.0GHz频段内,28V工作电压、150μs脉宽、25%占空比工作条件下,功率输出大于51.5dBm、功率增益大于33.5dB、功率附加效率大于33%的性能指标。功放载片尺寸20mm×12mm×2mm,实现了高增益高集成度的百瓦级功率载片的研制目标。
- 倪涛银军王毅余若祺李剑锋斛彦生李晶
- 关键词：GANX波段高集成度高增益小型化
- C波段高效率小型化GaN 150W功率放大器载片设计
- 2023年
- 介绍了一种C波段高效率GaN功率放大器的设计流程。该功率放大器为满足小型化尺寸要求,采用高介电常数的钛酸锆陶瓷实现功分器匹配电路,通过无源集总元件(integrated passive device,IPD)技术,创新性地将栅极匹配电容和二次谐波匹配网络集成在同一芯片尺寸内,采用Lange电桥合成构成平衡结构的小型化功率放大器载片。整个功率放大器在15.0 mm×9.2 mm×2.0 mm的载体内实现。测试结果显示,在工作电压36 V、输入功率40 dBm、脉宽1 ms、占空比30%条件下,4.4 GHz~5.0 GHz频带内饱和输出功率在145~166 W,功率增益在10~10.6 dB,功率附加效率大于56%,最高功率附加效率达到59.3%。
- 斛彦生王毅银军倪涛余若祺董世良王浩杰
- 关键词：GANIPD宽带
- P波段宽带放大器输出内匹配网络
- 本发明提供一种P波段宽带放大器输出内匹配网络。该输出内匹配网络包括第一微带线、第二微带线、多个匹配电容和隔直电容，第一微带线与多个匹配电容形成LC匹配网络，第二微带线与隔直电容形成隔直网络；第一微带线的一端作为LC匹配网...
- 倪涛李晶余若祺银军王毅斛彦生徐守利高永辉
- S波段GaN高效率内匹配功率放大器的设计与实现被引量：11
- 2017年
- 本文研究了一种S波段320W GaN内匹配功率放大器。该器件基于自主研发36V工作的GaN HEMT管芯。以负载牵引结果为出发点,运用电子仿真技术对管芯进行了基波匹配,并针对管芯二次谐波阻抗进行了匹配优化,最终用功率分配/合成器进行了四路功率合成。在工作电压36V,占空比20%,脉宽400μs测试条件下,3.0~3.5GHz频段内输出功率大于320W(55d Bm),功率增益大于14d B,功率附加效率大于62%。
- 斛彦生余若祺银军张志国李静强黄雒光
- 关键词：GANHEMT内匹配功率合成
