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高繁荣

作品数：3 被引量：8H指数：2
供职机构：武汉大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇光电
  • 2篇光电流
  • 2篇光电流谱
  • 2篇辐照效应
  • 1篇电器件
  • 1篇氧离子
  • 1篇中子
  • 1篇离子
  • 1篇快中子
  • 1篇光电二极管
  • 1篇光电器件
  • 1篇硅光电二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇半导体
  • 1篇硅
  • 1篇MOS电容

机构

  • 3篇武汉大学

作者

  • 3篇高繁荣
  • 2篇李世清
  • 2篇鄢和平
  • 2篇陈炳若

传媒

  • 1篇核技术
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
硅光电器件两种辐照效应的比较被引量：5
1998年
比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶ射线辐照后光电参数的变化，讨论了Υ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内。将分光光度法得到的光电流谱用于上述实验，有助于了解不同辐照引起的损伤在器件中的空间分布。
陈炳若李世清鄢和平高繁荣
关键词：光电器件光电流谱辐照效应硅半导体
硅光电二极管快中子和氧离子的辐照效应被引量：5
1998年
研究了硅光电二极管经快中子（注入剂量为1011cm2、能量2．45MeV）和O+++（注入剂量为1010cm－2、能量12MeV）辐照后光电参数的变化规律，并通过光谱光电流的变化，对辐照损伤的空间分布进行了分析。结果表明：两种辐照均引起器件的光电流下降、暗电流增加。在本实验条件下，快中子造成的损伤轻微且均匀地分布在整个器件体内，而O+++辐照损伤区集中在器件表面附近，其损伤较快中子的严重。
高繁荣陈炳若李世清鄢和平
关键词：硅光电二极管辐照效应
硅光电器件幅照效应及损伤分布的研究
高繁荣
关键词：光电流谱MOS电容
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共1页<1>
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